MOSFET als Leistungs-Vernichter ?
Im Unterforum Projekte im Selbstbau - Beschreibung: Selbstbau von Elektronik und Elektro
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MOSFET als Leistungs-Vernichter ?
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BID = 831213
Crizz
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Das Ding soll keine hochpräzisen Messergebnisse liefern wie eine Senke, aber die Werte sollten shcon noch brauchbar bleiben. Ich seh schon das ich an nem D/A-Wandler nicht vorbeikomme, sonst wird das nix. Der ausgesuchte µC für das Projekt hat nur integrierte A/D Wandler, aber keine D/A. SOnst wäre ich schon längst auf eine lineare Ansteuerung übergegangen. Aber so wie es aussieht muß ich das Design eh überdenken, von daher...
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BID = 831884
Crizz
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Nach einigem hin-und her hab ich mir heute mit einem LM358 einen primitiven, aber effektiven DAC gebaut. Arbeitet für meine Anwendung perfekt, und liefert mir aus dem 490 Hz PWM ein brauchbares analoges SIgnal zur Ansteuerung der Endstufe, das ganze ist in der Auflösung besser als die PWM-Ansteuerung und die Strommessung klappt auch über den gesamten Bereich erwartungsgemäß mit nur 50 mV Differenz zum realen Wert, bisher nur bis 30 V Lastspannung geprüft, aber ds ist schon okay.
Ich kann allerdings nicht nachvollziehen, was der Hype mit den IGBT soll. Entweder bin ich einfach zu doof, die Ansteuerung dafür anzupassen, oder irgendwer streut Gerüchte, die nicht brauchbar sind.
In meinem Fall sieht es so aus, das ich mit einem IRF5305 mit einem 0,01 Ohm Drain ( Emitter-) widerstand bei 4 A @ 12,6 V gerademal eine Temperatur von 55°C erreiche - beim IGBT ( dem bereits genannten ) komme ich da locker auf über 90°C. Beide sind auf dem gleichen Kühlkörper montiert, und der IGBT zeigt ab ca. 3,2 A eine Art von Avalanche-Effekt : der Strom steigt weiter an, d.h. durch die Erwärmung sinkt der wirksme Innenwiderstand des Halbleiters.
Von daher denke ich, das ich irgendwas im Zusammenhang mit der Ansteuerung der IGBT grundlegend falsch mache, wobei ich auch bei einer simplen linearen Ansterung mittels zweier Labornetzgeräte den selben Effekt nachvollziehen kann. Beim IGBT habe ich ( der Vollständigkeit halber ) Gate-Widerstände zwischen 10 und 27 Ohm probiert, da ändert sich nicht viel.
Aber nichts destotrotz möchte ich nicht versäumen, auch einmal "Danke" zu sagen - denn die Diskussion hat mir auch viele neue Wege gezeigt, an die ich bisweilen nicht gedacht hatte, und mich zu neuen Lösungsansätzen inspiriert, die dann schließlich ja auch zum gewünschten Ergebnis geführt haben.
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BID = 831892
perl
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Zitat :
| | n meinem Fall sieht es so aus, das ich mit einem IRF5305 mit einem 0,01 Ohm Drain ( Emitter-) widerstand bei 4 A @ 12,6 V gerademal eine Temperatur von 55°C erreiche - beim IGBT ( dem bereits genannten ) komme ich da locker auf über 90°C. |
Dann ist auch die am MOSFET umgesetzte Leistung nur etwa halb so groß wie die des IGBT.
Zitat :
| | was der Hype mit den IGBT soll. |
Ist kein Hype, aber um derartig hohe Leistungen zu verbraten, ist dieser IGBT ist schlicht billiger als ein entsprechender MOSFET.
Z.B. verträgt er bei einer Gehäusetemperatur von 100°C 66W, während dein IRF5305 bei gleicher Temperatur nur auf 53W kommt.
Zitat :
| | der IGBT zeigt ab ca. 3,2 A eine Art von Avalanche-Effekt : der Strom steigt weiter an, d.h. durch die Erwärmung sinkt der wirksme Innenwiderstand des Halbleiters. |
Nein, wenn da eine Lawine stattfände, könntest du gar nicht so schnell gucken, wie der Transistor zu Schrott wird.
Was du da beobachtest, ist schlicht der negative Temperaturkoeffizient der U GE und MOSFETs zeigen unterhalb einer bestimmten U GS (dort schon sehr stark angesteuert) ein ähnliches Verhalten. Darauf beruht deren potentielle Verletzlichkeit im Linearbetrieb.
Zitat :
| | das ich irgendwas im Zusammenhang mit der Ansteuerung der IGBT grundlegend falsch mache, |
Es scheint so.
Und vermutlich bei den MOSFETs auch.
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BID = 832174
Beckenrandschwimmer
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Ich habe für mein linear geregeltes 0...16V 0...60A Netzteil 9x IRF1404 genommen. Bisher funktioniert es, wobei ich aktiv den Strom auf die 9 aufteile.
Anbei mal der Schaltplan des Netzteiles. Eine Senke dürfte sich daraus auch gut bauen lassen. Habe ich demnächst auch vor.
Irgendwo hatte ich in diesem Forum das Netzteil auch vorgestellt.
[ Diese Nachricht wurde geändert von: Beckenrandschwimmer am 1 Jun 2012 9:43 ]
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