Hallo, liebe Gemeinde!

Ich habe eine Frage zu folgender Schaltung. Ich möchte zwei 2.5W-LED ( Seoul P3, warmweiß ) als Deckenbeleuchtung nutzen und diese auch per Poti dimmen.



Ich habe nur einen Poti ( P1 in der Schaltung ) benutzt, da der ja ausreicht.


So, nun das Problem. Wenn ich eine 5mm/20mA-LED direkt ohne MOSFET am Pin 3 des NE555 betreibe (anders als in der Schaltskizze ), funktioniert das alles sehr schön.

Wenn ich nun aber einen MOSFET/ Transistor wie in der Schaltskizze an den Pin 3 anschließe, dann läßt sich die LED zwar auch dimmen, aber nicht mehr von dunkel auf hell, sondern die LED leuchtet schon gut sichtbar, egal wieweit ich das Poti zurückdrehe, und läßt sich nun nur noch von dieser Ausgangshelligkeit hochdimmen.und natürlich wieder zurückdimmen. Ab ungefähr dem Mittelanschlag des Potis ist optisch und messbar mit einem Multimeter keine Veränderung mehr festzustellen.

MOSFET war ein IRLZ34N, Transistor ein BC337-40.




[ Diese Nachricht wurde geändert von: bigpuster am 27 Jun 2007 11:16 ]

[ Diese Nachricht wurde geändert von: bigpuster am 27 Jun 2007 11:17 ]

Mal was neues von der MOSFET-Front.

Wie das so ist, wenn Laien basteln habe ich beim hin- und herprobieren mal aus Versehen den Widerstand zwischen Pin 3 des NE555 und dem Gate-Bin des MOSFET vergessen.

Dimmen ging natürlich nicht, aber die LED hat geleuchtet. Obwohl keine Verbindung zwischen dem Gate-Bein und einer Spannungsquelle besteht.

Die Leuchtstärke der LED gleicht optisch der, bei der die LED beim Dimmbetrieb immer stehen bleibt.
Also scheint der MOSFET aus irgendwelchen Gründen bei Anlegung einer Betriebsspannung an Drain und Source, ohne dass Gate in irgendeiner Art und Weise mit einer Spannung verbunden ist, zu gewissen Teilen zu leiten. Deshalb wird die LED sich auch nicht richtig herunterdimmen lassen. Gibt es dafür eine Erklärung? Ich habe wie gesagt weniger als null Ahnung von MOSFETS.

Jetzt fällt mir ein, dass ich für die 20mA-LED auch mal einen Transistor benutzt hatte und auch dabei den gleichen Effekt hatte!?

Klingt irgendwie doch nach einer Verbindung, die so nicht sein soll, oder?...ich sehe sie nur nicht

Zitat :

Gibt es dafür eine Erklärung?

Ja sicher.
Das Gateoxid des Metal Oxide Semiconductor FET ist ein sehr guter Isolator, so daß bei einem intakten Transistor bei konstanter Gatespannung fast kein Strom fliesst.
Andererseits ist die Kapazität des Gate gegen die übrigen Elektroden relativ hoch.
Zusammen bewirkt das, daß die zufällig vorhandene Spannung des nicht angeschlossenen Gate sich nur ausserordentlich langsam ändert.
Steuerstrom fliesst bei diesen Transistoren nur, wenn man die Spannung dieser Kapazität ändern will.

Technisch macht man bei den EPROMs oder Flash-Speichern davon Gebrauch: Dort bleibt eine Gateladung über viele Jahre erhalten und dient als Informationsspeicher.
Andererseits ist deshalb beim Umgang mit MOS-Schaltungen besondere Vorsicht geboten, denn statische Elektrizität kann das das Gate soweit aufladen, daß diese dünne Isolatorschicht zerstört wird.


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