Zitat :

Gibt es dafür eine Erklärung?

Ja sicher.
Das Gateoxid des Metal Oxide Semiconductor FET ist ein sehr guter Isolator, so daß bei einem intakten Transistor bei konstanter Gatespannung fast kein Strom fliesst.
Andererseits ist die Kapazität des Gate gegen die übrigen Elektroden relativ hoch.
Zusammen bewirkt das, daß die zufällig vorhandene Spannung des nicht angeschlossenen Gate sich nur ausserordentlich langsam ändert.
Steuerstrom fliesst bei diesen Transistoren nur, wenn man die Spannung dieser Kapazität ändern will.

Technisch macht man bei den EPROMs oder Flash-Speichern davon Gebrauch: Dort bleibt eine Gateladung über viele Jahre erhalten und dient als Informationsspeicher.
Andererseits ist deshalb beim Umgang mit MOS-Schaltungen besondere Vorsicht geboten, denn statische Elektrizität kann das das Gate soweit aufladen, daß diese dünne Isolatorschicht zerstört wird.


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