Hallo,

da ich in den nächsten Tagen die Bauelemente bestellen möchte - vllt. hat ja doch jemand noch Antworten auf meine Fragen :

- wo durch wird die Obergrenze des Spannungsbereiches der Schaltung für die Last begrenzt

- könnte nochmal jemand über den Stromlaufplan drüber schauen?
Möchte nur den I- & R-Modus und die Temperaturabschaltng realisieren

--> "Frequenz" und "Abschaltschwelle Spannung" fallen somit weg

Dann könnte ich demnächst mir dem Aufbau starten, sobald die Bauelemente da sind!

Danke für eure Hilfe!

Grüße Wolle

Zitat :

- wo durch wird die Obergrenze des Spannungsbereiches der Schaltung für die Last begrenzt

Durch die Spannungsfestigkeit des MOSFET (hattest du ja schon geschrieben)

Der Schaltplan stimmt so, du hast ja auch nur Teile des Originalplan entfernt.

Dieser komische Temperatursensor SA...soundso ist nichts weiter als ein Sensor vom Typ KTY81-121 und den bekommst du auch bei Reichelt.

Noch ein Tipp:
Wenn du mehrere FETs parallel schaltest, bietet es sich an, jeden über einen eigenen OPV zu regeln. Damit lassen sich Parameter-Steuungen der jeweiligen FETs ausgleichen. Sonst kann es passieren, dass bei 5A Gesamtstrom einer 1A und der andere 4A übernimmt.
Dann muss die Spannung für den Stromsollwert aber ebenfalls angepasst werden.


MfG Mathias

Zitat : Offroad GTI hat am 18 Aug 2011 15:09 geschrieben :

Sonst kann es passieren, dass bei 5A Gesamtstrom einer 1A und der andere 4A übernimmt.

M.E. sorgt der Sourcewiderstand R20 dafür, dass dies weitgehend verhindert wird. Strom an R20 steigt -> U_GS sinkt.

Jetzt erkenne ich auch die Vorteile dieser Schaltung: Eine Spannungsstabilisierung per 78XX ist sicher stabiler als per Z-Diode. Und die Temperatursicherung sorgt für Sicherheit.

[ Diese Nachricht wurde geändert von: Makersting am 18 Aug 2011 18:45 ]

Die Regelung über den einen OPV reicht.

Bei mehreren FETs selektiert man etwas. Jeder zusätzliche FET bekommt dann ebenfalls die Widerstände R15 und R20 verpasst. Bei R20 würde ich vermutlich 0,22 Ω nehmen.

DL2JAS

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mir haben lehrer den unterschied zwischen groß und kleinschreibung und die bedeutung der interpunktion zb punkt und komma beigebracht die das lesen eines textes gerade wenn er komplizierter ist und mehrere verschachtelungen enthält wesentlich erleichtert

Wie viele FETs willst du denn da bestellen?

OT: Ich hatte schon mal so ein ähnliches Problem, allerdings mit Bipolar Darlington-Transistoren. Die Streuung dieser Typen war signifikant.

Und da der LM324 bspw. schon vier OPVs enthält, halten sich die finanziellen Aufwendungen auch im Rahemen.

Es war auch nur ein Vorschlag, kann ja jeder machen, wie er lustig ist.

Bei mehreren Regelungen parallel ist mir nicht ganz wohl.

Es ist möglich, daß die sich gegenseitig regeln wollen und dann schwingen.


DL2JAS

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mir haben lehrer den unterschied zwischen groß und kleinschreibung und die bedeutung der interpunktion zb punkt und komma beigebracht die das lesen eines textes gerade wenn er komplizierter ist und mehrere verschachtelungen enthält wesentlich erleichtert

Ich habe das an dieser Stelle vorgeschlagen, weil bei der Elektronischen Last 9000 von ELV dies ebenfalls so gelöst wurde.

Kann man eigentlich den LM358 durch den zweiten OPV des TLC272 ersetzen? Fällt mir gerade so auf. Das würde die Sache weiter vereinfachen.

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Gruß
Martin

Zitat : Offroad GTI hat am 18 Aug 2011 19:02 geschrieben :

Ich hatte schon mal so ein ähnliches Problem, allerdings mit Bipolar Darlington-Transistoren. Die Streuung dieser Typen war signifikant.

Mosfets haben im Gegensatz zu bipolaren Transistoren einen positiven Temperaturkoeffizient. Sprich sie werden um so hochohmiger je wärmer sie werden. Im Umkehrschluß fliesst dann auch weniger Strom durch sie hindurch.
Mein Vorschlag wäre daher den 0,1Ohm Widerstand beizubehalten und wie in Makerstings (Bipolar)Schaltung weitere Mosfets mit je einem eigenen Widerstand hinzufügen. Bedenke, je hochohmiger das wird desto größer ist die minimale Spannung bei der der maximale Strom fliesst.
Bei 30A, 5 Transistoren und Widerständen(ca 0,2Ohm pro Zweig) sind das schon 1,2V. Anschlußleitungen noch nicht mitgerechnet. Daher würde ich mir sogar auf jeden Fall Gedanken machen wenigstens niederohmigere Mosfets einzusetzen. Zum Beispiel den BUZ344 der gerade bei Pollin um 1€ pro St verhökert wird. Der hat dann auch eine deutlich höhere mögliche Verlustleistung wie der BUZ71. Es sind aber auch viele andere Typen denkbar.
Wegen günstiger Widerlinge würde ich mich auch mal bei Pollin umsehen. Da hab ich für die Senke meines Kollegen günstige 50W Widertsände zu 49ct bekommen! Leider können die zwischenzeitlich ausverkauft sein.

powersupply






[ Diese Nachricht wurde geändert von: powersupply am 19 Aug 2011  9:26 ]

Zitat : powersupply hat am 19 Aug 2011 09:24 geschrieben :

Mosfets haben im Gegensatz zu bipolaren Transistoren einen positiven Temperaturkoeffizient. Sprich sie werden um so hochohmiger je wärmer sie werden. Im Umkehrschluß fliesst dann auch weniger Strom durch sie hindurch.

Zitat aus:
http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.22

> Kann man MOSFETs zur Leistungssteigerung parallelschalten ?

Von: Rolf Zimmermann

MOSFETs als Schalter betrieben kann man ohne Symmetrier-R parallel schalten. Der Kanalwiderstand Rds(on) steigt mit der Chiptemperatur, und symmetriert den Strom durch den einzelnen FET entsprechend der Temperatur (der kühlste FET bekommt mehr Strom ...)

MOSFETs im Linearbetrieb (also 'nicht ganz durchgeschaltet') verhalten sich ab einer bestimmten Ugs gerade umgekehrt (der wärmste FET bekommt noch mehr Strom...) weil die Gate-Source-Spannungskennline negativ temperaturabhängig ist. Hier braucht's dann mindestens die R's in die Source des FETs. Da die Threshold-Spannung von MOSFETs mit ca. 3.5V viel grösser ist als die nur 0.6V grosse Ube-Spannung von Bipolartransistoren und die Werte auch locker um Faktor 2 streuen, benötigt man im Vergleich zu Bipolartransistoren recht grosse Widerstandwerte bei den Stromverteilungswiderständen und erhält damit recht grosse Verlustleistungen. Man sollte wenigstens die MOSFETs gut selektieren.
...
Um mit kleineren R´s und ohne Selektiererei auszukommen sollte man einen OpAmp (Achtung: Er muss trotz kapazitiver Last stabil bleiben, z.B. MC34072/LM6364/AD848 oder 'per Hand' stabilisiert werden mit extra Kompensationskondensator C in der Rückkopplung) pro MOSFET spendieren, der den Spannungsabfall am Stromverteilungswiderstand dieses MOSFETs regelt, denn solche Schaltungen neigen zum phase lag der durch diese phase lead Schaltung ausgeglichen wird.

Ende des Zitates.

mfg

Oha!

Danke für die Aufklärung

powersupply

Hallo,

habe heute die Last-Schaltung provisorisch aufgebaut.
Soweit funktioniert auch alles.
Habe anschließend eine Last von 10V bei 3A eingestellt.
Da fängt der FET schon an zu kochen...
Hab den Fet auf nen richtig großen Kühlkörper geschraubt (mit Isolierscheibe und Wärmeleitpaste) doch mach ca. 3min hab mich mit einen Temperaturfühler von meinen Multimeter schon mehr als 100°C gemessen.

Man gekommt die Wärme nicht schnell genug vom FET weg, trotz rießigen Kühlkörper (plan ist er natürlich auch :wink:)

Also bleibt mir entweder der Einsatz eines Lüfters oder ich schließe noch nen FET parallel.

Könnte Ihr mir helfen, wie der Stromlaufplan mit dem zweiten Fet + Ansteuerung aussieht?

Grüße Wolle

Lass doch mal die Isolierscheibe weg. Wenn nur ein Transistor auf den Kühlkörper montiert ist, braucht man ja keine.

Was bezeichnest du eingetlich als riesig?