Zitat :

Durch einen möglichst hohen relativen Spannungsabfall im Widerstand hoffe ich die Exemplarstreuungen in den Flußspannungen der Leuchtdioden besser aufzufangen

Nur hat das so gut wie nichts mit der Flankensteilheit zu tun.
Bei deinen geplanten Betriebsdaten 128µs Impulsdauer und 1kHz Wiederholfrequenz arbeitest du so langsam, daß es völlig gleichgültig ist, ob der Stromanstieg 20ns oder 500ns dauert.
Für die erzeugten hochfrequenten Störungen ist das aber keineswegs gleichgültig.

Außerdem:
Eine Stromänderung von 1,5A in 20ns würde in einem nur 10cm langen Leiterstück schon einen induktiven Spannungabfall von etwa 7,5V verursachen!
Da du diese Spannungsreserve sicherlich nicht hast, kannst du dir die steilen Flanken sowieso abschminken und dann brauchst du auch keine bombastischen Treiber.

Ebenso ist es sinnlos um die letzten Milliohm des FET zu feilschen, wenn du ihn dann mit einem Vorwiderstand von 30 Ohm und 5% Toleranz, -entsprechend +/- 1500mOhm -, hintereinanderschaltest.

Zitat :

Bei deinen geplanten Betriebsdaten 128µs Impulsdauer und 1kHz Wiederholfrequenz arbeitest du so langsam, daß es völlig gleichgültig ist, ob der Stromanstieg 20ns oder 500ns dauert.

Das dachte ich ja auch. Danke für die Bestätigung (dachte schon, ich hätte ein Brett vorm Kopf).

Zitat :

Eine Stromänderung von 1,5A in 20ns würde in einem nur 10cm langen Leiterstück schon einen induktiven Spannungabfall von etwa 7,5V verursachen!

Verstanden. Zwischen Spalten- und Zeilentreiber und entferntester LED können es gut und gerne 2*20cm werden (ich baue einen Schriftzug).

Annahmen:Gatekapazität, 8,5pF, Ein-/Ausschalten des Transistors bereits bei 1*Tau (Versorgungsspannung so 5V, Gate-Threshold bei 2,7V).
Dann erhalte ich mit einem Gate-Vorwiderstand von 10kOhm eine Schaltzeit von 85ns.
Ist die Rechnung realistisch? Ist die Schaltzeit wohl so noch problematisch? Oder sollte man den Gate-Vorwiderstand noch höher wählen?

Zitat :

Ebenso ist es sinnlos um die letzten Milliohm des FET zu feilschen, wenn du ihn dann mit einem Vorwiderstand von 30 Ohm und 5% Toleranz, -entsprechend +/- 1500mOhm -, hintereinanderschaltest.

Es ging mir mehr darum, dass es für die Helligkeit einer LED in einer Zeile egal ist, wie viele der 16 LEDs der Zeile gerade eingeschaltet sind. Bei den Widerständen dachte ich an 30Ohm Metallschicht 1/4W 1%. Die fallen bei LEDs für 20 Euro auch nicht mehr ins Gewicht.


Gruß, Bartho

Zitat :

Bei deinen geplanten Betriebsdaten 128µs Impulsdauer und 1kHz Wiederholfrequenz arbeitest du so langsam, daß es völlig gleichgültig ist, ob der Stromanstieg 20ns oder 500ns dauert.

Das dachte ich ja auch. Danke für die Bestätigung (dachte schon, ich hätte ein Brett vorm Kopf).

Zitat :

Eine Stromänderung von 1,5A in 20ns würde in einem nur 10cm langen Leiterstück schon einen induktiven Spannungabfall von etwa 7,5V verursachen!

Verstanden. Zwischen Spalten- und Zeilentreiber und entferntester LED können es gut und gerne 2*20cm werden (ich baue einen Schriftzug).

Annahmen:Gatekapazität, 8,5pF, Ein-/Ausschalten des Transistors bereits bei 1*Tau (Versorgungsspannung so 5V, Gate-Threshold bei 2,7V).
Dann erhalte ich mit einem Gate-Vorwiderstand von 10kOhm eine Schaltzeit von 85ns.
Ist die Rechnung realistisch? Ist die Schaltzeit wohl so noch problematisch? Oder sollte man den Gate-Vorwiderstand noch höher wählen?

Zitat :

Ebenso ist es sinnlos um die letzten Milliohm des FET zu feilschen, wenn du ihn dann mit einem Vorwiderstand von 30 Ohm und 5% Toleranz, -entsprechend +/- 1500mOhm -, hintereinanderschaltest.

Es ging mir mehr darum, dass es für die Helligkeit einer LED in einer Zeile egal ist, wie viele der 16 LEDs der Zeile gerade eingeschaltet sind. Bei den Widerständen dachte ich an 30Ohm Metallschicht 1/4W 1%. Die fallen bei LEDs für 20 Euro auch nicht mehr ins Gewicht.


Gruß, Bartho

Zitat :

Annahmen:Gatekapazität, 8,5pF, ...Ist die Rechnung realistisch?

Was soll denn das für ein Transistor mit so geringer Eingangskapazität sein?
Im Übrigen ist die Millerkapazität meist wichtiger.

Böser Schnitzer meinerseits beim vom-Datenblatt-Abschreiben: Der Transistor hat eine typische Gate-Ladung von 8,5nC, die Eingangskapazität liegt bei 1030pF. Ist der 8721. Hier noch mal das Datenblatt:
http://www.reichelt.de/?;ACTION=7;L.....R.pdf

Habe ein wenig gegoogelt und rausgefunden, dass Gate-Vorwiderstände größer 100 Ohm unüblich sind. Werde einfach mal solche einbauen und schauen, was passiert.

Hier eine Übersicht, wie die Hardware aussehen soll:
Acht Zeilen mit je 16 LEDs, also 16 Spalten. Die LEDs werden mit bis zu 100mA gepulst.
Als Spaltentreiber 16*BC327-40-PNP-Transistoren, 1kOhm Basis-Vorwiderstände, bisher keine Basis-Emitter-Widerstände zum schnelleren Abschalten eingeplant.
Als Zeilentreiber 8*IRLU8271 (oder IRLU024N), 100 Ohm Gate-Vorwiderstände.
Als globaler PWM-Transistor auch entweder 8271 oder 024N, auch 100 Ohm-Gatevorwiderstand.

Software:
Werde wohl doch 20MHz statt 4MHz Takt nehmen; gibt mir mehr Luft beim programmieren (dann kann ich Speicher sparen). Die LED-Taktung wird um den Faktor 2,5 beschleunigt. Neues Steuerungsverhalten beim Interrupt:
# Beide Spaltenports ausschalten
# Zeile um-/weiterschalten
# Neue Spaltenwerte (16 Stück, 2 Byte) aus dem Puffer laden und in die beiden Spaltenports schreiben
# Die nächsten Spaltenwerte in den Puffer schreiben
# Interrupt-Ende
Von Interrupt zu Interrupt sind es jetzt nicht mehr 256µs, sondern gut 100µs.
Globale PWM über CCP-Ausgang des PICs in 16 6,25µS-Schritten.

Belastet wird also bloß der globale PWM-FET, das normale Ein- und Ausschalten der LEDs läuft über die Bipolar-Spaltentransistoren.


Gruß, Bartho

[ Diese Nachricht wurde geändert von: Bartholomew am 16 Dez 2010 23:54 ]