maximale Spannung beim Transistor

Meist steht sogar noch ein dritter Buchstabe im Index, der etwas darüber aussagt, wie die dritte Elektrode angeschlossen ist.
V_CEO beispielsweise ist die Kollektor-Emitterspannung bei offenem Basisanschluss.

Zitat :

Ein Beispiel:
VCE=400V
VCB=500V
VEB=7V

Wenn ich nun an den Kollektor 400V anlege, (Emitter liegt auf 0V), dann dürfte die Basis auf -100V liegen, laut VEB aber nur auf -7V.
Was bedeutet nun VCB ?

Das interpretierst Du nicht richtig.
In Emitterschaltung dürfen zwischen Kollektor und Emitter 400V anliegen.
In Basisschaltung dürfen zwischen Kollektor und Basis 500V anliegen.
Die Sperrspannung der Basis-Emitterdiode ist aber höchstens 7V.

Der Unterschied zwischen V_CEO und V_CBO
kommt dadurch zustande, daß in Emitterschaltung in der Basissperrschicht spontan, z.B. thermisch, entstandene Ladungsträger einem angelegten Basisstrom entsprechen.
Dieser ruft dann einen um die Stromverstärkung höheren Kollektorstrom hervor und der kann unzulässig hoch sein.

In Basisschaltung ist die Stromverstärkung etwa 1 und entsprechend geringer ist dann der Kollektorsperrstrom.

Man kann Transistoren auch in Emitterschaltung mit höheren Spannungen betreiben, wenn man dafür sorgt, daß diese unerwünschten Ladungsträger entfernt werden.
Am einfachsten geht das mit einem niederohmigen Widerstand zwischen Basis und Emitter. Dann findest Du im Datenblatt die Angabe für V_CER.
Bei manchen Hochspannungstransistoren z.B. für Zeilenablenkstufen ist dieser Widerstand auch schon integriert. Du kannst ihn von außen mit einem Ohmmeter messen. Oft liegt er in der Größenordnung von 30..100 Ohm.

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Haftungsausschluß:

Bei obigem Beitrag handelt es sich um meine private Meinung.

Rechtsansprüche dürfen aus deren Anwendung nicht abgeleitet werden.

Besonders VDE0100; VDE0550/0551; VDE0700; VDE0711; VDE0860 beachten !

[ Diese Nachricht wurde geändert von: perl am 10 Jan 2004 14:29 ]