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Strom aus Basis von Transistor
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BID = 643760
Ultrasick
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Hallo,
ich war gerade dabei eine aufgebaute Schaltung zu testen:
Bild eingefügt
Das Potential "Versorgung" wird über einen Trafo (mit Gleichrichter und Glättung) betrieben. Nachdem ich diesen Trafo eingeschaltet hatte, ist mir aufgefallen, dass er leicht brummt. Allerdings nicht so laut, wie wenn man ihn kurz schließt. Nach etwa 15 bis 20 Sekunden ist der npn-Transistor, der links von und unter der grün gemalten Verbindung ist, recht warm geworden. Die gemessenen Spannungen habe ich mit roter Farbe ins Bild eingezeichnet. Als ich die grün eingezeichnete Verbindung unterbrochen hatte, war der Trafo ruhiger und der Transistor ist nicht mehr warm geworden.
Ist es möglich, dass Strom aus der Basis des anderen npn-Transistors gekommen ist, dem, der rechts von der grünen Verbindung ist?
[ Diese Nachricht wurde geändert von: Ultrasick am 28 Okt 2009 17:49 ] |
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BID = 643815
selfman
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Beiträge: 1681
Wohnort: Seekirchen a. W.
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Das könnte an der auf die "Versorgung - 12 Volt" geklemmten Spannung am Emitter des nachfolgenden Transistors (der mit der grünen Basis) liegen.
"Versorung - 12V" ergibt immer noch 15 - 16 Volt, während die Basis dieses Transistors durch den ansteuerden Kollektor auf nicht viel mehr als 0,5 Volt gezogen wird. Dadurch ist die Basis-Emitter Diode mit einer recht hohen Sperrspannung beansprucht.
Da diese aber durch die hohe Dotierung des Emitters ebenfalls eine Z-Dioden Charakteristik hat, wäre es möglich, daß sie bei der Spannung durchbricht und sich ein Kurzschluß von Versorgungsspannung über die 12 Volt Z-Diode, der Basis-Emitter-Diode und den heißgelaufenen Transistor ergibt.
In diesem Fall fließt dann tatsächlich ein hoher Strom aus der Basis des Transistors heraus. Ein Blick auf die Transistortypen und deren Datenblätter könnte da Aufschluß geben. 
Schöne Grüße Selfman
[ Diese Nachricht wurde geändert von: selfman am 28 Okt 2009 22:50 ] |
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BID = 643823
perl
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Deine Vermutung und die Erklärung von selfman sind richtig.
Die BE-Diode der gängigen Si-Transistoren stellt eine Zenerdiode mit einer Durchbruchsspannung von etwa 6..7V dar.
In manchen ICs wird diese Eigenschaft sogar absichtlich ausgenutzt.
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BID = 643839
Ultrasick
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Oha! Das wurde uns in der Schule nie gesagt.
Danke für euere Informationen, die sind wahrlich wertvoll. Selbst in meiner Ausbildung zum Elektroniker hat man mir das nicht beigebracht.
Und welche Methode könnte man verwenden, um den Rückfluss zu verhindern? Eine normale Diode dort unterbringen, wo jetzt die grüne Verbindung ist?
Es handelt sich bei der Schaltung um die Steuerung vom Gate eines Feldeffekttransistors in einem Abwärtswandler. Die Eingäge vom RS-Glied werden entsprechend gesetzt, wenn eine untere, bzw. obere Spannungsschwelle am Ausgang des Abwärtswandlers unterschritten bzw. überschritten wurde. Der Ausgang des RS-Glieds kommt bei einem high-Signal nur auf etwa 3,8 V. Die Gate<->Source Spannung darf bei dem Feldeffekttransistor nicht über 20 Volt steigen.
Edit: Warum gibt es diesen "Zener-Effekt" nicht auch zwischen dem Kollektor und der Basis?
Edit:
Zitat :
| | Ein Blick auf die Transistortypen und deren Datenblätter könnte da Aufschluß geben. |
Oh, ja, da steht tatsächlich etwas von einer Emitter-Basis-Spannung von 6,0 V.
[ Diese Nachricht wurde geändert von: Ultrasick am 29 Okt 2009 1:41 ]
[ Diese Nachricht wurde geändert von: Ultrasick am 29 Okt 2009 1:43 ]
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BID = 643879
selfman
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Wohnort: Seekirchen a. W.
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Zitat :
| | Warum gibt es diesen "Zener-Effekt" nicht auch zwischen dem Kollektor und der Basis? |
Weil der Kollektor im Gegensatz zum Emitter sehr schwach dotiert ist.
Zitat :
| | Oha! Das wurde uns in der Schule nie gesagt. |
Das wäre aber das 1x1 der Elektronik, eine völlig unbekannten Dreibeiner auf dessen Art und Anschlüssen zu bestimmen. Wenn dann anhand vorangegangener Messungen schon bekannt ist, daß es sich um einen Transistor handeln könnte, war die Methode mit der Durchbruchspannung eine davon den Emitter zu bestimmen.
Schöne Grüße Selfman
[ Diese Nachricht wurde geändert von: selfman am 29 Okt 2009 10:55 ]
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BID = 643881
perl
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Wohnort: Rheinbach
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Einfacher nimmst du nicht eines der extra für diesen Zweck entwickelten ICs, wie etwa den IR(S)2112. Siehe z.B. auch http://www.irf.com/technical-info/appnotes.htm
Zitat :
| | Warum gibt es diesen "Zener-Effekt" nicht auch zwischen dem Kollektor und der Basis? |
Weil man auf der Kollektorseite ein anderes, möglichst nicht sprungartig verlaufendes, Dotierungsprofil wählt, um die Feldstärke zu reduzieren und das Einsetzen der Ladungsträgerlawine zu höheren Spannungen zu verschieben.
[ Diese Nachricht wurde geändert von: perl am 29 Okt 2009 10:54 ]
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BID = 643919
Ultrasick
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Zitat :
| | Einfacher nimmst du nicht eines der extra für diesen Zweck entwickelten ICs, wie etwa den IR(S)2112. |
Hmm, dass es spezielle Treiberbausteine für FETs gibt, wusste ich nicht. Aber die scheinen eh für n-Kanal FETs zu sein. Weis nicht wie mir das bei einem Abwärtswandler von nutzen sein könnte.
Rest der Schaltung:
Bild eingefügt
Ich habe zwar auch n-Kanal FETs da, aber das würde doch bedeuten, dass ich zum Öffnen eine Spannung erzeugen müsste, die höher als meine Sourcespannung und damit Versorgungsspannung ist!?
[ Diese Nachricht wurde geändert von: Ultrasick am 29 Okt 2009 13:04 ]
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