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BID = 580305
clonez Gerade angekommen
Beiträge: 5 Wohnort: Münster
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Hallo,
Ich habe ein Problem mit dem Ansteuern von MOSFETS und JFETs.
In meinem derzeitigen Projekt habe ich das Problem, dass die an Gate und Source anliegende Spannung sowohl identisch stark als auch gepolt ist.
FET benötigen meiner Kenntnis nach jedoch eine Spannung (gepolt je nach Dotierung) zwischen Gate und Source (bzw. Bulk), um schalten zu können (oder ich müsste MOSFETS mit seperatem Bulk Anschluss verwenden und diesen erden. Diese sind mir jedoch zu teuer und würden das Problem an den JFETs nicht beseitigen).
Ich könnte nun dieses Problem mit Kondensatoren lösen, das würde meine Schaltung (beliebig erweiterbarer Additor mit Überschlagsspeicher) jedoch unnötig verlangsamen und komplexer machen.
Gäbe es eine Möglichkeit, dies mit Widerständen (angeschlossen an Gate und Erde z.B.) zu lösen?
Da ich die Bauteile noch nicht bestellt habe, kann ich leider nicht selbst ausprobieren, ob dies klappen würde....
Wäre über Hilfe echt dankbar |
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BID = 580311
perl Ehrenmitglied
Beiträge: 11110,1 Wohnort: Rheinbach
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Willkommen im Forum, clonez!
Was genau ist denn das Problem ? |
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BID = 580463
clonez Gerade angekommen
Beiträge: 5 Wohnort: Münster
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Das Problem ist, wie ich die Spannung an den Gates soweit absenken kann, dass der FET schaltet.
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BID = 580471
clonez Gerade angekommen
Beiträge: 5 Wohnort: Münster
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Und zwar eine Spannung ohne Strom (bzw. verschwindend klein).
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BID = 580481
perl Ehrenmitglied
Beiträge: 11110,1 Wohnort: Rheinbach
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Das
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BID = 580482
perl Ehrenmitglied
Beiträge: 11110,1 Wohnort: Rheinbach
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macht
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BID = 580483
perl Ehrenmitglied
Beiträge: 11110,1 Wohnort: Rheinbach
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nichts
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BID = 580484
perl Ehrenmitglied
Beiträge: 11110,1 Wohnort: Rheinbach
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Haftungsausschluß:
Bei obigem Beitrag handelt es sich um meine private Meinung.
Rechtsansprüche dürfen aus deren Anwendung nicht abgeleitet werden.
Besonders VDE0100; VDE0550/0551; VDE0700; VDE0711; VDE0860 beachten !
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BID = 580539
berufsbastler Schriftsteller
Beiträge: 615
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perl hast du das verstanden?
dann erklär mir das mal bitte.
1. was ist Bulk bzw. ein Bulkanschluss? Für mich ist das der Zwischenkreis in meinem Schaltnetzteil, für dich auch?
2. Wie willst du denn den Mosfet ansteuern? Was für einen mosfet, was für eine Schaltung?
Ich verstehe eigentlich garnicht was du machen willst.
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BID = 580542
Bartholomew Inventar
Beiträge: 4681
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Spannung liegt immer zwischen zwei Punkten an und ist somit relativ.
Wenn Du den Mosfet mit Drain an Plus der Spannungsversorgung legst und Source mit dem zu schaltenden Schaltungsteil verbindest (das wiederum an GND hängt), hast Du zwischen Source und GND eine negative Spannung (nämlich die, die über dem zu schaltenden Bauteil abfällt).
(Nebenbei: Zwischen GND und Source gemessen wäre die Spannung positiv.)
Gruß, Bartho
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BID = 580545
Kong Gesprächig
Beiträge: 108 Wohnort: Wolfratshausen
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@Berufsbastler
Bulk - Substratanschluß beim Mosfet, läßt sich auch als Steuerelektrode nutzen.
Google mal,
Gruß
_________________
Heiter weiter!
[ Diese Nachricht wurde geändert von: Kong am 15 Jan 2009 17:36 ]
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BID = 580570
wulf Schreibmaschine
Beiträge: 2246 Wohnort: Bozen
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Nur dass bei fast allem MOSFETs der BULK Anschluss intern auf Source geschaltet wird.
Der Bulk ist doch eigentlich nur interessant wenn man integrierte Schaltkreise entwickelt.
_________________
Simon
IW3BWH
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BID = 580647
clonez Gerade angekommen
Beiträge: 5 Wohnort: Münster
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Leider wurde gerade wegen irgend eines Fehlers mein ganzer Post gelöscht, als ich ihn absenden wollte
ich fass mich also kurz:
ich habe einen Teil der Schaltung eingescannt. Da sie ursprünglich für den privaten Gebrauch war(und auch einige Korrekturen nicht enthält; wie z.b. im rechten Bildteil und die Dotierungsbezeichnungen), entspricht sie nicht wirklich der Norm; eine aktualisierte version poste ich Morgen:
-die Transistor-Zeichen entsprechen MOSFETs, die FET Zeichen JFETs
-die gefüllten Rechtecke sind Kondensatoren
-die ungefüllten Rechtecke Widerstände (beides noch nicht näher spezifiziert)
-Kreise zeigen Leitungsüberschneidungen, die keinen Kontakt haben, an
-spannungsangaben sind nicht korrekt(durchgängig 40V)
die beiden Speicherzellen (rechts) und die Logikzelle(Mitte; ich hoffe die Bezeichnung passt ) sind jedoch soweit final.
Bei den bereits eingezeichneten Widerständen handelt es sich zum allergrößten Teil um pull-downs (abgesehen von den beiden in der Speicherzelle, wobei die in ähnlicher Weise als wahrscheinlicher Lösungsansatz von jedes FET Gate geschaltet werden müssten)
bitte keine zu harsche Kritik, dies ist die erste Schaltung dieser Art, die ich entwerfe
[img]http://img103.imageshack.us/img103/1411/64889972ae5.jpg
[ Diese Nachricht wurde geändert von: clonez am 15 Jan 2009 22:25 ]
[ Diese Nachricht wurde geändert von: clonez am 15 Jan 2009 22:26 ]
[ Diese Nachricht wurde geändert von: clonez am 15 Jan 2009 22:27 ]
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BID = 580661
Racingsascha Schreibmaschine
Beiträge: 2247 Wohnort: Gundelsheim
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Offtopic :
| Bild bitte auf den Foreneigenen Server hochladen. Unter dem Bereich in dem du deinem Post verfasst sind fünf Felder, in die du das Bild mit den rot geschriebenen Beschränkungen hochladen kannst. |
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Fnord ist die Quelle aller Nullbits in deinem Computer.
Fnord ist die Angst, die Erleichterung, und ist die Angst.
Fnord schläft nie.
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BID = 580701
berufsbastler Schriftsteller
Beiträge: 615
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Zitat :
Kong hat am 15 Jan 2009 17:34 geschrieben :
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@Berufsbastler
Bulk - Substratanschluß beim Mosfet, läßt sich auch als Steuerelektrode nutzen.
Google mal,
Gruß
[ Diese Nachricht wurde geändert von: Kong am 15 Jan 2009 17:36 ]
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ok, danke, was gelernt.
bisher war mir kein mosfet mit 4 anschlüssen über den weg gelaufen...
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