Ich bräuchte schon konkretere Erklärungen.
evt. mit Schaltplan

Hä? Du hast doch selbst gesagt, dass ein MOSFET eine ähniliche Funktion wie ein Transistor hat, nur mit großem eingangswiderstand.

also statt basis + Vorwiderstand einfach Gate,
statt Kollektor Drain
und statt Emitter Source.

so einfach!

Ich habe gesagt, soviel ich weis, verhält sich ein MOSFET so ähnlich wie ein Transistor. Ich weis aber nicht ob das auch wirklich so ist. Deshalb suche ich ja auch jemanden, der davon den Plan hat und mir helfen kann.
Weist du überhaupt wie viele MOSFET's es gibt ?????
Was sind P und N-Kanal MOSFET's ????
Ich will nicht wissen wie das ungefähr funktioniert, sondern richtig, sonst könnte ich ja so lange auprobieren bis es irgendwann funzt.
Deshabt wäre ich demjenigen sehr dankbar, der mir eine funktionierende Schaltung (Schaltplan) erstellt.

mfg

Zitat :

Deshalb suche ich ja auch jemanden, der davon den Plan hat und mir helfen kann. Weist du überhaupt wie viele MOSFET's es gibt ?????

Ich hab bis jetzt halt nur theroretische Bücher(-Kapitel) über MOSFETs gelesen, dafür diese aber recht zahlreich und ausführlich. Ich kam bloß noch nicht dazu, das mal praktisch auszuprobieren. über die verschiedenen Typen weiss ich übrigens bescheid.

Zitat :

Was sind P und N-Kanal MOSFET's ????

da sind wie beim NPN und PNP-Transistor nur die Dotierungen vertauscht

Wenn du´s genau wissen willst:

Standartmäßig nimmt man einen N-Kanal-Anreicherungstyp, dass heisst, bei U_GS=0V sperrt der MOSFET (Anreicherung weil durch angelegte GS-Spannung der Kanal mit Ladungsträgern angereichert wird; kompl. verarmungstyp der bei Ugs = 0V voll leitet). N-Kanal heisst, dass die Spannungen wie beim NPN sind.

Zur funktion muss ich beim normalen FET (=Feldeffekttransistor) anfangen:
Der FET besteht aus einem Kanal aus N-Dotiertem Silizium, zu dem Längs beidseitig zwei P-Zonen eindotiert sind. Ein ende des Kanals ist der Drain Anschluss, das andere Ende der Source anschluss. die beiden P-Zonen werden mit dem Gate verbunden.
Da nun zwei PN-Übergänge vorhanden sind, gibt es dementsprechend auch zwei nichtleitende Sperrschichten, alá Diode. Die PN-Übergänge werden nun mit der Gatespannung in sperrichtung betrieben, es fließt also fast kein Strom, und die nichtleitenden Sperrzonen vergrößern sich mit höherer Sperrspannung und verkleinern sich mit niedrigerer Sperrspannung. Das heisst man verbreitert oder verkleinert den leitfähigen Kanal und damit seien Widerstand in großen Weiten.
Beim MOSFET (=Metal Oxyd Semiconductor Field Effect Transistor) ist der Gateanschluss zusätzlich mit einer Metalloxidschicht versehen um den Eingangswiderstand weiter zu erhöhen.
Die meisten Leistungs-MOSFETs haben übrigens schon eine antiparallel geschaltene Freilaufdiode über die DS-Strecke integriert.
Man möge mich im Fehlerfall verbessern.

Für weitere und genauere Informationen: http://www.google.de

Schaltungen gibts ebenfalls massig im netz, vielleicht komm ich ende der Woche mal dazu, was einzuscannen (wenn der scanner wieder geht)

mfg ChillA

[ Diese Nachricht wurde geändert von: chilla am  4 Nov 2003 19:05 ]

Hey,
Du brauchst nur den Gate des FETs (npn) einmal gegen
plus (ein) und minus (aus) zu schalten und schon hast Du
fast den idealen Schalter. Der Source kommt an minus und
das Drain kommt an den Verbraucher. Der Pluspol kommt direkt an den Verbraucher.
Der FET muß den Strom Id abkönnen und die maximale Spannung
zwischen Gate und Source. Bei Dir also 12V, das machen viele
FETs. z.B. ein IXFX180N10 MOSFET macht bis 180A bei maximal
10Milliohm Widerstand zwischen Drain und Source bei Ugs = 12V. Ist das Gate auf Sourcepotential also minus dann
geht das Licht aus und der FET ist hochohmig.
Ein Strom fließt fast garnicht in das Gate. Ich denke
das sind so Nanoampere, wenn überhaupt.
Falls noch Fragen sind     uelse äht web.de (automatisch editiert wegen spamgefahr)    - Uli

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