Wechselrichter-Endstufe

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Autor
Wechselrichter-Endstufe
Suche nach: endstufe (5161)

    







BID = 454648

Thundersoul

Gerade angekommen


Beiträge: 1
Wohnort: Blieskastel
 

  


Hallo.

Ich möchte mir einen kleinen Wechselrichter bauen und habe dafür eine Endstufe entworfen. Ich habe den Schaltplan mal als Datei eingefügt.

Die Endstufe erhält ein Steuersignal im TTL Pegel von einem Mikrocontroller. Das Signal wird durch einen 74LS244 gepuffert. Der Enable-Pin des 74LS244 wird ebenfalls durch den Microcontroller gesteuert, um die Endstufe durch den MC gesteuert einzuschalten.
Der 74LS244 wird durch ein DC-DC Reglermodul (oder auch Linearregler, mal sehen was ich da einbaue) versorgt, der auch den MC mitversorgen soll.

Vom 74LS244 geht es zu 2 IR2121. Der IR2121 ist ein IC zur Lowside Mosfet Ansteuerung. Der Current Sense Eingang und der ERR Ausgang sind durch Pulldowns auf Masse gelegt, da ich diese Funktionen des Chips nicht verwende, da ich keine Strombegrenzung wünsche, eine Überstrom Abschaltung des WR erfolgt durch eine Schmelzsicherung bzw durch den Microcontroller, in dem dieser das Enable Signal auf 0 Setzt.
Der IR2121 erhält eine Spannung von 15 V über ein DC-DC Wandler Modul.
An jedem IR2121 sidnd 2x 100 uF als Stützkondensator angebracht, wenn der Leistungs-Mosfet umgeschaltet wird.

Vom Ausgang des IR2121 geht es über einen 100 Ohm Schutzwiderstand zum Gate des Mosfet.

Der Mosfet ist ein IRL 3803. Er erlaubt einen Drain Strom von 140 A, bei 100 °C immernoch 98 A.

Der Wechselrichter arbeitet nur mit Rechtecksignal im die Verluste in der Endstufe gering zu halten. Das Tastverhältnis liegt bei etwa 25% pro Mosfet, der maximale Strom liegt bei 60 A.

Von den Mosfets geht es zu einem Kerntransformator mit mehreren Getrennten Wicklungen (4 Wicklungen) , die entsprechend für 24 V zusammengeschaltet sind. Es ist auch ein Betrieb für 12 V mit diesem Trafo möglich, dann würde ich allerdings 2 IRL3803 Leistungsmosfets parallel schalten und je 2 Wicklungen parallel anstatt in Reihe schalten.

Den Mosfets sind noch Leistungs-Gleichrichterdioden parallel geschaltet, um den Akku auch wieder aufladen zu können und ein separates Ladegerät einzusparen.

Hier noch die Bauteilliste mit den Bauteilwerten

Bauteile:

L1: Funkentstördrossel 100u 2,5 A

C1: 330 pF
C2: 330 pF
C3: 100 nF
C4: 330 pF
C5: 330 pF
C6: 100 nF
C7: 100 nF
C8: 100 uF
C9: 100 uF
C10: 100 uF
C11: 100 uF
C12: 100 nF
C13: 100 nF
C14: 470 uF Pufferelko DC-DC Wandler Eingang

C15: 4700 uF Pufferelkos 24 V Hauptstromkreis
C16: 4700 uF "
C17: 4700 uF "
C18: 4700 uF "
C19: 4700 uF "

C20: 100 nF
C21: 470 uF Elko 5 V Kreis

C22: 100 nF Puffer-C für 74LS244 N (Nicht im Schaltplan eingezeichnet)


R1: 100 Ohm
R2: 100 Ohm
R3: 5k6
R4: 5k6
R5: 4k7
R6: 4k7
R7: 5k6
R8: 5k6
R9: 5k6


Was haltet ihr von dieser Wechselrichter-Endstufe? Kann man das so aufbauen? Irgendwas, was ich ändern sollte oder beachten muss? Verbesserungsvorschläge?

Vielen Dank und noch ein schönes Wochenende.




[ Diese Nachricht wurde geändert von: Thundersoul am  1 Sep 2007 16:54 ]

[ Diese Nachricht wurde geändert von: Thundersoul am  1 Sep 2007 16:58 ]

[ Diese Nachricht wurde geändert von: Thundersoul am  1 Sep 2007 17:12 ]

BID = 455176

Harald73

Schreibmaschine


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Beiträge: 1016

 

  

Hi,

ich sehe deine Schaltung schon in Rauch aufgehen...

Das ist eine Push-Pull-Endstufen. Wenn an einer Wicklung (durch aktiven FET) 24V anliegen, liegen diese (in etwa) auch an der zweiten Primärwicklung an. Da die Wicklungen mit entgegengesetzter Polarität angeschlossen sein müssen, addiert sich die induzierte Spannung zur Versorgungsspannung hinzu, und der abgeschaltete FET wird mit 2*24V belastet. Er kann aber nur 30V -->

Edit: Moment, im Text steht IRF3803, im Schaltplan IRF3808???? Wat den nu?

Zudem wird bei jedem Ausschalten die in der Streuinduktivität gespeicherte Energie im FET vernichtet, dass kann auch weh tun, kommt auf den Trafo an.

Der WR soll (wie ich es verstehe) direkt 50Hz erzeugen, oder? Wie ist es dann mit kapazitiver oder induktiver Last?

Wie wäre es mit einer Vollbrücke? Dabei hast zu zwar doppelte FET-Anzahl und dadurch auch doppelte Verluste im WR-Teil, dafür aber klarere Spannungsverhältnisse an den FETs und eine bessere Ausnutzung des Trafos.

Gruß
Harald



[ Diese Nachricht wurde geändert von: Harald73 am  4 Sep 2007 11:00 ]

BID = 455179

Goetz

Schreibmaschine

Beiträge: 1947
Wohnort: Dresden
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lohnt sich der aufwand überhaupt??
Die Dinger bekommt man doch unterdessen fast hinterhergeschmissen .....


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