Hallo "der mit den kurzen Armen",

vielen Dank für die Antwort, ich dachte mir schon, dass ich ein fundamentales Verständnisproblem habe, denn ich habe mich ziemlich intensiv mit den Grundlagen des Transistor beschäftigt, nur habe ich den Sättigungsbetrieb wohl nicht richtig verstanden.

Der Sättigungbetrieb tritt dann ein wenn beide pn-Übergänge im Transistors leiten, also der vollständig leitende Zustand, wie im angehängten Diagramm angedeutet.

Zitat :

Sättigung eines Transistors bedeutet das eine weitere Steigerung des Basisstromes nicht zu einem höherem Kollektor- Emitterstromes führt.

Im Graph ist also der Teil ganz links gemeint wo es fast egal, ob 10µA oder 30 µA durch die Basis fließen.

Zitat :

Auf die Spannung bezogen bedeutet das ,daß die Kollektor- Emitterspannung nicht weiter sinkt, da ja ein Teil des Basistromes durch die Diode Quasi an der Basis vorbei geführt wird.

Den Teil verstehe ich immer noch nicht so ganz. Kannst Du das eventuell an meinem angehängten Schaltplan 2 verdeutlichen? Ich könnte doch dort, durch die Absenkung von V1 auf z.B. 0.1V, die Basis-Kollektor-Spannung immer weiter senken.


Vielen Dank und Grüße

Paldron

schau dir die Zeichnung an



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Hallo "der mit den kurzen Armen",

vielen Dank für die ausführliche Zeichnung. Mein Problem war, dass ich eine falsche Vorstellung vom Sättigungsbetrieb hatte. Mir war nicht klar, dass bei dem Durchschalten des Transistors, also die Erhöhung von Ib, natürlich die Spannung Uce zurück gehen muss, da der Widerstand des Transistors viel kleiner wird! Dies passiert solange bis Ib so hoch ist, dass eine weitere Erhöhung den Kollektorstrom nur unwesentlich steigert, was die Stelle Uce,sat markiert. Also der minimale Widerstand des durchgeschalteten Transistors.

Hier kommt die Schottky-Diode ins Spiel, die einfach unterbindet, dass Ib so groß wird, und damit der Widerstand des Transistors so klein, dass Uce,sat erreicht wird.


Nochmal Danke für Deine Erklärung und viele Grüße

Paldron