Zitat :

. Silikonöl hat aber den Vorteil, dass es sehr dünnflüssig ist, und vor allem nicht brennt, da es auf Silizium = Sand basiert.

Das ist ein Irrtum !
Silikone brennen durchaus, dafür sorgen die Kohlenwasserstoffreste (oft -CH₃) von dem die [Si-O-]_n Polymerkette umschlossen wird. Probiers einfach einmal aus.





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Der ETD59 scheint ganz nett für die Geschichte zu sein.

Da ich aber eigentlich mit einem secondary-Layer auskommen will, muss ich die primary auf 5-8 Windungen verkürzen.

Da komme ich dann auf so lustige Werte wie 1,2T deltaB.

Das ist "etwas" viel... (@0,6 wird wahrscheinlich der Kern saturieren)

Was macht man denn da? Die Symmetrierungskondensatoren verkleinern? Dadurch kann weniger Strom fließen, aber meine Leistung bricht ein

Die Frequenz raufschrauben macht auf Grund der Kaskade wenig Sinn und auch die Isolation würde sich bedanken...

Eine Verkleinerung der Eingangsspannung bewirkt eine Veränderung des Windungsverhältnisses, so dass sich nichts ändert.

Liegt die Lösung in einer längeren Deadtime und ein kleiner Cap (1-3nF) der die Flanke etwas puffert? Die Resonanzschwingung sollte durch die Halbbrücke zerkloppt werden...

Grüße, Hendrik

Setz dir einfach mal Grenzen:
Mehr als 20Wdg. Prim.
max. 50kHz.
Halbbrücke 50% Tastverhältnis

Ich habe das ganze mal getestet:
Ein 5cm langes Kunstoffröhrchen 1 lagig mit 0,3er Draht vollgewickelt. Primär 3Wdg. Das ganze auf nem Zeilentrafokern. Mit 20Vss hatte ich etwa 1*Veff. Beim ersten Lichtbogen ist ein MOSFET durchgeschlagen.

Wenn 1 Lage nicht reicht, dann nimm halt 2 oder 3 Lagen verteilt auf mehrere Kammern:
z.B.
Auf 5mm Breite 3 Lagen, dann ein paar mm Platz und daneben wieder auf 5mm Breite 3 Lagen aufeinander usw.

Ich denke du hast Recht

Also sagen wir sicherheitshalber 25Wnd.

sekundär gehe ich auf 0,2mmCuL und 2 Layer.

Das sähe dann so aus:

1*GF mit Wachs oder Epoxy
1 Layer sec. rechts -2*V; links PE
1*GF mit Wachs oder Epoxy
1 Schicht Alu- oder Kupferfolie als PE-Leiter und Schutz
1*GF mit Wachs oder Epoxy
1 Layer sec. rechts PE; links +2*V
...

Durch die Metallfolie könnte ich die Erde von links nach rechts befördern, so dass zwischen beiden Layern ein konst. Potential von 2*V herrscht.

Dieses Blechpaket habe ich nun schon öfters in Beschreibungen von derartigen Übertragern entdeckt...

Da der Ferrit ein Magnetfeld überträgt und Blech nur elektrische Felder schirmt, sollte dies die Wirkung des Übertragers nicht riesig beeinflussen??

Wie sieht es mit Wirbelströmen aus. An sich dürfte sich die Aluschicht ja als eine Kurzschlusswindung darstellen, die @20kHz / 1kw auch gut warm werden dürfte

Ist es unter diesem Gesichtspunkt vielleicht sinnvoller, einfach die Layer als separate Wicklungen herauszuführen und sie extern über einen dicken Leiter zu verbinden?
(Dies würde wahrscheinlich auch eine höhere Durschlagsfestigkeit bewirken)

Könnte man die MOSFETs durch eine 500V Transil-Crowbar (parallel zur primary) schützen? Die Teile sind höllisch schnell, verkraften >50A und wurden für solche Späße gebaut. Und mit <1EUR sind sie billiger als eine Kiste Halbleiter

Grüße, Hendrik

Das Problem bei MOSFETs sind nicht immer Spannungsspitzen.
Es gibt viele Gründe, warum ein MOSFET kaputtgeht.

Bei meinen Vesuchen (früher SSTC, im Moment ein Frequenzumrichter) haben sich die IRF740 als deutlicher Sieger herausgestellt. IRF840 haut es alle der Reihe nach durch.

Mich würde mal interessieren, ob man anhand des Fehlers die Ursache feststellen könnte.
Generell gibt es 3 Arten an Fehlern in MOSFETs:

a) Kurzschluß Drain-Source (und meistens auch Gate). Alles verschmilzt anscheinend aufgrund eines ordentlichen Überstroms.
b) Kurzschluß Gate-Drain: Anscheinend durch Überspannung. Wenn man den MOSFET mit einem Diodentester misst, zeigt das Messgerät OK an. Erst ab etwa 2-6V wirde der MOSFET leitend, eben ab der üblichen Gate Spannung.
c) Gate-Source Kurzschluß. Hier ist die Ursache klar: Zu hohe Gate-Source Spannung.
d) 40-500 Ohm Drain-Source Widerstand. Kein Totaler Kurzschluß, aber eben ein Widerstand. Was hier passiert ist, würde mich mal interessieren.