hi,

ich bau ja gerade ein schaltnetzteil für 500W leistung, und hätte mich für einen IGBT als schalttransistor entschieden, da die verluste damit sehr gering sind... jetzt hätt ich aber eine frage bezüglich datenblatt...

http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irg4pf50wd.pdf

auf seite 3 ist so ein strom/frequenz diagramm... check das nicht ganz... heisst das ich kann den fet bei zb. 100khz nicht mehr so sehr belasten? oder gilt das nur für die spezielle schaltung die ins diagramm eingezeichnet ist?

vielleicht könnt ihr mir weiterhelfen :-)

aja, schaltfrequenz wären 50khz... und maximaler primärstrom durch einen transistor sind ca. 2.7A
also wär der IGBT mehr als ausreichend dimensioniert wenn das mit der frequenz nicht so unklar wär...

gruß
st0ne

Das gilt für diese Halbbrücke, deren beide Transistoren mit 15V genau gegenphasig angesteuert werden.
Im Umschaltmoment beginnt dann schon ein Transistor zu leiten, während der andere noch nicht sperrt.

Bei 100kHz und 540V Betriebsspannung tritt hauptsächlich dadurch schon eine Verlustleistung von 40W auf, obwohl die Ausgangsleistung nur etwa 800 W ist.

Vergleichsweise können die Transistoren bei 20kHz und der gleichen Verlustleistung von 40W mit 12A bereits viermal soviel Ausgangsleistung produzieren.

IGBTs sind eben so langsam.
Du solltest auch den Steuerleistungsbedarf dieser recht großen Transistoren nicht unterschätzen.


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aha, aber wenn ich das ganze in einer gegentaktschaltung betreibe kann ich das dann verwenden mit 50khz? schon oder? weil ja keiner der transistoren gleichzeitig leitet... bzw. die schaltung ganz anders ist...

das mit der steuerleistung ist mir schon klar wird auch ausreichend dimensioniert...

gruß
st0ne