Bipolare NPN Transistoren durch IGBTs ersetzen? Im Unterforum Bauteile - Beschreibung: Vergleichstypen, Leistungsdaten, Anschlußbelegungen .....
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Bipolare NPN Transistoren durch IGBTs ersetzen? Suche nach: transistoren (7995) |
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BID = 698333
mediasat Gerade angekommen
Beiträge: 15
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Bipolare NPN Transistoren durch IGBTs ersetzen?
Konkret geht es hier um Bipolartransistoren auf der Primärseite von Schaltnetzteilen (z.B DVD Recorder, DVB Receiver), die gerne bei nahem Gewitter durchschlagen und dann natrürlich auch die Dioden und Netzsicherung mitreißen.
Seit einiger Zeit werden IGBTs recht günstig angeboten, z.B. bei Pollin der HGTG20N60B3D. Bipolartransistoren, wie z.B. C3866 oder C4518 sind dagegen kaum noch einzeln zu bekommen und 100 Stück davon würde ich kaum in den nächsten Jahren verbauen können.
http://www.pollin.de/shop/downloads/D130905D.PDF
http://www.datasheet4u.com/download.php?id=606081
Bauform und Anschlüsse sind identisch, aber würde die Ansteuerung der Bipolartransistoren auch die IGBTs steuern bzw. kann man das mit vertretbarem Aufwand anpassen?
http://de.wikipedia.org/wiki/Insulated_Gate_Bipolar_Transistor
Zitat :
| Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (engl. insulated-gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt. Vorteilhaft ist auch eine gewisse Robustheit gegenüber Kurzschlüssen, da der IGBT den Laststrom begrenzt. | |
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BID = 698359
perl Ehrenmitglied
Beiträge: 11110,1 Wohnort: Rheinbach
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Zitat :
| würde die Ansteuerung der Bipolartransistoren auch die IGBTs steuern | Nein, die Anforderungen an die Treiberschaltung sind sehr verschieden.
Der Bipolartransistor ist stromgesteuert, wobei man Ströme in der Größenordnung von 10% des Laststromes, aber nur etwa 1V benötigt, während der IGBT Steuerspannungen in der Größenordnung von 10V benötigt, aber i.W. eine kapazitive Last darstellt.
Der genannte Type ist für einen Videorecorder etc. auch viel zu groß, und generell sind IGBTs oft zu langsam für Netzteile, die für die Verwendung von bipolaren Transistoren entworfen worden sind. |
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BID = 698399
mediasat Gerade angekommen
Beiträge: 15
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Danke für die schnelle Antwort. Befürchtet hatte ich das ja schon, aber nun kann ich da wohl sicher sein.
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BID = 699137
mediasat Gerade angekommen
Beiträge: 15
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BID = 699141
perl Ehrenmitglied
Beiträge: 11110,1 Wohnort: Rheinbach
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Beide sind schlecht geeignet.
Der 2SC4517 ist, neben der der Zweifel, ob er hinreichend spannungsfest ist, eine Nummer kleiner und nur für etwa den halben Strom gut.
Er käme also allenfalls in Frage, wenn das Netzteil nicht voll ausgelastet wird. Aber auch dann ist die Zuverlässigkeit wegen der geringeren Spannugsfestigkeit fraglich.
Mit dem 2SD1566 würde ich es gar nicht versuchen wollen. Dieser Transistor ist für ganz andere Zwecke entwickelt worden und zu langsam. Vermutlich wird er an seinen Schaltverlusten zugrunde gehen.
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