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Basis-Emitter-Strom Kennlinie fehlt auf Datenblättern bei Bipolartransistoren ?!
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BID = 588566
Minotaurus1337
Stammposter
Beiträge: 267
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Hallo,
Ich hab ein Problem (wie so manches mal XD ) ...
Ich finde auf den Datenblättern von Bipolartransistoren nie eine Kennlinie welche mir den zusammenhang zwischen Basis-Emitter Spannung und Kollektror-Emitter Spannung zeigt also bei wieviel Basis-Emitter Spannung wieviel Kollektor-Emitter Spannung anliegt bzw. Strom fließt.
Ich hab bei Wikipedia unter dem Suchwort Basis-Emitter Spannung gelesen das die Basis-Emitter Spannung die man anlegen muss um einen durchlass auf der Kollektor-Emitter Strecke zu schaffen vom Material abhängig ist (Silicium etwa 600–700 mV, Germanium etwa 200–300 mV) also liegt die möglichkeit die Kollektor-Emitter Spannung zu regeln dazwischen ?
Oder gibs ne Formel die man sich immer selbst ausrechnen muss (was ich mir nicht vorstellen kann).
Ich versuch diese Daten für den Transistor BD249 zu bekommen, vermutlich kenne ich einfach nur die auf diesem Datenblatt Speziellen bezeichnungen für die Basis-Emitter Spannung/Strom nicht welche ja normalerweise Ube und Ibe sind ...
Da kann mir doch sicherlich jemand weiterhelfen =) ?
Danke jetzt schon für die Antwort/en =) ... |
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BID = 588574
Strömling
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Wohnort: Berlin
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BID = 588584
perl
Ehrenmitglied
Beiträge: 11110,1
Wohnort: Rheinbach
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Der Zusammenhang Ube - Ie ist i.W. der einer normalen Diode.
Daraus folgt, dass die Ube hauptsächlich vom Material, in zweiter Linie von der Dotierung und darüber hinaus auch noch vom Strom und der Temperatur abhängig ist.
Der Kollektorstrom und erst recht die Kollektorspannung spielen hingegen eine völlig untergeordnete Rolle.
Du solltest dich einmal ein wenig mit dem Funktionsprinzip befassen, dann wirst auch du erkennen, dass der Bipolartransistor ein stromgesteuertes Bauteil ist, und die Steuerspannung eher ein notwendiges Übel.
Als Daumenwert rechnet man, dass sich die Ube bei einer Temperaturerhöhung um 1K um etwa 2mV verringert, und dass eine Stromänderung um den Faktor 10 eine Spannungsänderung von etwa 50mV bewirkt. Diese Zahlen folgen aus dem theoretischen Modell der Basis-Emitter-Diode.
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Haftungsausschluß:
Bei obigem Beitrag handelt es sich um meine private Meinung.
Rechtsansprüche dürfen aus deren Anwendung nicht abgeleitet werden.
Besonders VDE0100; VDE0550/0551; VDE0700; VDE0711; VDE0860 beachten !
[ Diese Nachricht wurde geändert von: perl am 15 Feb 2009 23:42 ]
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BID = 588589
Onra
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Beiträge: 2485
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Hallo,
du gehst von falschen Voraussetzungen aus. Der Transistor ist ausgangsseitig eine Stromquelle. Der Basistrom ruft einen um den Stromverstärkungsfaktor größeren Kollektorstrom hervor. Die Kollektor-Emitter-Spannung wird durch die äußere Beschaltung bestimmt.
Hier habe ich auf die Schnelle was zum 4-Quadranten-Kennlinienfeld gefunden:
http://www.elektroniktutor.de/bauteile/transkl.html
Das Verhältnis V CE zu V BE lässt sich nicht so einfach bestimmen, ohne weitere Werte vorauszusetzen.
Onra
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BID = 588863
Minotaurus1337
Stammposter
Beiträge: 267
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Hmmmm okay damit kann ich was anfangen =) ... Thx ich werde mich weiter in die Materie begeben =) ...
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