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Aber ist Wärme nicht auch eine Art von Licht ? Und darauf reagieren die DRAM Zellen sehr gut. |
Nein, Licht ist elektromagnetische Strahlung, Wärme ist Teilchenbewegung (Hier: Gitterschwingungen der Si-Atome im Kristall).
Wegen der statistischen Verteilung, haben einige der Teilchen genügend Energie um ihre Si-Si Bindung aufzubrechen wodurch ein Elektron frei wird, das den für den Stromfluß erforderlichen Ladungstransport besorgt.
Da gleichzeitig an der Bindungsstelle ein "Loch" entsteht, lebt dieses Leitungselektron nicht sehr lange, sondern fällt bald wieder in ein solches Loch.
Man kann zeigen, daß die Anzahl der auf diese Weise thermisch erzeugten Ladungsträger eine exponentiell mit der Temperatur steigende Leitfähigkeit verursachen.
Die bekannte andere Vorstellung, daß Elektronen vom Valenzband ins Leitfähigkeitsband gehoben werden, führt zum gleichen Ergebnis.
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Es gibt im Internet mehrere Bauanleitungen für SW Kameras mit DRAMs |
Ja, ich habe das vor gut 30 Jahren auch mal probiert. Mit einem 1k*1 DRAM, der keinerlei eigenes Refresh hatte, klappte das ganz passabel. Man konnte ihn kontinuierlich auslesen und dabei zuschaun (Scope im X-Y-Z-Betrieb) wie im Dunkeln die Bits nacheinander umfallen. Das sieht aus wie die Fenster eines Hochhauses, in dem morgens die Lichter angeknipst werden.
Belichtet geht das natürlich schneller.
Mit einem kurzbrennweitigen Objektiv (ich glaube es war das Okular von einem Mikroskop), und einem periodischen Beschreiben des DRAM mit Einsen erschien auf dem Scope ein Bild, das mich irgendwie an Paul Nipkows flimmernde Apparatur erinnerte.
Aber dabei wird eben die Leitfähigkeit durch die viel höher energetischen Photonen ausgelöst, die das direkt und nicht über den Umweg der Gitterschwingungen erledigen.
Das Photoelektron entsteht augenblicklich (und nicht erst nach einer Nanosekunde oder so) in dem Moment, in dem das Photon absorbiert wird.
Wenn du meinst, du könntest über die Temperaturabhängigkeit der Leitfähigkeit von Sperrschichten ein Bild erzeugen, so nimm einfach ein CCD.
Bei den DRAMs sind für die Temperaturabhängigkeit die Auswahltransistoren verantwortlich, beim CCD gibt es entsprechende Strukturen, die die Ladungen der Photodioden auslesen.
Aber wie gesagt: Es wird nicht klappen, weil die Wärme sich im Kristall schneller ausbreitet, als durch den beschriebenen statistischen Vorgang Elektronen für den Reststrom entstehen.
P.S.:
Wenn du dich unbedingt unglücklich machen willst, dann habe ich vielleicht noch ein paar 4k*1 DRAMs, organisiert in 4 quadratischen Feldern. Aber ich glaube, die sind schon fortgeschrittener und machen beim Auslesen ein Refresh.
Vermutlich habe ich auch noch einige 256k DRAMs, aber bei diesen ist wegen der Betastrahlung des Gehäuses schon ein Klecks Polyimid auf dem Chip.
Dieses Zeig verdirbt die Optik, ist hart, und läßt sich auch nicht auflösen. Vielleicht gehts mit der HNO
3 ab, aber die schafft dann wahrscheinlich auch die Kontakte.
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[ Diese Nachricht wurde geändert von: perl am 17 Feb 2005 22:16 ]