Ist die Frage eher theoretisch?

In der Praxis nimmt man gern einen Widerstand zwischen Gate und Source, um die Kapazität zu entladen. Muss das schnell gehen, nimmt man einen Treiber, der möglichst schnell aktiv zwischen HI und LO umschaltet, also auch das Gate entlädt.

DL2JAS

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mir haben lehrer den unterschied zwischen groß und kleinschreibung und die bedeutung der interpunktion zb punkt und komma beigebracht die das lesen eines textes gerade wenn er komplizierter ist und mehrere verschachtelungen enthält wesentlich erleichtert

Zitat : Offroad GTI hat am  3 Feb 2013 21:05 geschrieben :

Das liegt an der Miller-Kapazität zwischen Drain und Gate.

Servus! Die Miller-Kapazität befindet sich wie erwähnt zwischen Drain und Gate. Um einen Kondensator(hier meine Ich Gate-Source-Kondensator) zu laden muss der Strom durch ihn fliessen. Angenommen dass der Strom vom + zu - fliesst kann ich lediglich vermuten dass in dem Fall der Strom fliesst
durch Gate-Source Kapzität Body-diode zum Drain (???)
Ich beschreibe nochmal das Experiment>
---Ich habe einen(eigentlich mit vielen verschiedenen ausprobiert wurde...) Mos-FET genommen.
--- Alle Anschlüsse waren erst kurzgeschlossen um evtl vorhandene Ladung zu entladen
---Dann nimmt man einen DMM(Durchgangsprüfung) (oder eine andere Spannungsquelle) und liegt zwischen Drain und Gate diese Spannung auf.(+ aufs Gate und - auf Drain)
Dann nimmt man sie wieder ab und misst so schnell wie möglich mit DMM die Drain-Source Strecke (Bei empfindlichen und auch Logic-Level FETs öffnet sich die Strecke fast vollig) und beobachtet wie sich der Widerstand der Strecke dabei verhält.
--- Interessant ist auch dass In vieln Fällen die tatsächlich gemessene Kapazität G-D ist häufig etwas kleiner als G-S Kapazität(bei demselben Transistor)aber nicht immer so, manchmel etwas höher




[ Diese Nachricht wurde geändert von: alinn am  7 Feb 2013  2:29 ]

Zitat : dl2jas hat am  6 Feb 2013 00:03 geschrieben :

Ist die Frage eher theoretisch? DL2JAS

Servus! Ich habe nicht besonders viel von interner Struktur und Aufbau von MOSFETs gelesen aber auch nicht so wenig... verstehe überhaupt nicht wie das funktionert. Wie man traditionell die Mosfets ansteuert ist mir bekannt, dies geschieht normaleweise durch Anliegen einer Spannung zwischen Gate und Source(Ground)
Welcher Pfad innerhalb des Transistorsa nimmt der Strom bei von mir beschriebenm Versuch???

[ Diese Nachricht wurde geändert von: alinn am  7 Feb 2013  2:34 ]

Zitat :

Interessant ist auch dass In vieln Fällen die tatsächlich gemessene Kapazität G-D ist häufig etwas kleiner als G-S Kapazität(bei demselben Transistor)aber nicht immer so, manchmel etwas höher

Das steht sogar in den Datenblättern.
Wenn du da unterschiedliche Kapazitäten messen kannst, leitet der Transistor schon kaum noch.
Hast du dir dies http://de.wikipedia.org/wiki/Metall.....istor schon einmal zu Gemüte geführt?
Anhand der dortigen Skizzen sollte dir schnell klar werden, weshalb C_GS stets größer ist als C_GD.

Wenn das Gate noch voll geladen ist, ist der R_DS gebräuchlicher MOSFETs derart gering, dass praktisch ein Kurzschluss zwischen S und D existiert. Dann misst du zwangsläufig die gleichen Werte.

P.S.:

Zitat :

Angenommen dass der Strom vom + zu - fliesst kann ich lediglich vermuten dass in dem Fall der Strom fliesst durch Gate-Source Kapzität Body-diode zum Drain (???)

An dieser Vorstellung stimmt einiges nicht.
+ und - spielt hier keine Rolle, weil man die Kapazität mit Wechselstrom und möglichst kleinen Wechselspannungen misst und außerdem durch den Isolator "Gateoxid" überhaupt kein statischer Strom fliesst.

Du misst also rein dielektrische Verschiebeströme, wie sie auch bei jedem anderen Kondensator auftreten.

Die Höhe der Gatespannung spielt nur insofern eine Rolle, als sich dadurch der Abstand der "Kondensatorplatten" ändert.

Diesen Effekt zeigt auch jede andere Sperrschichtdiode, und bei den Kapaizitätsdioden aka Varicaps oder Abstimmdioden, ist er zum Prinzip erhoben: Je höher die Sperrspannung, umso dicker die Sperrschicht und umso geringer die Sperrschichtkapazität.

[ Diese Nachricht wurde geändert von: perl am  7 Feb 2013  3:15 ]

[ Diese Nachricht wurde geändert von: perl am  7 Feb 2013  3:16 ]