Mosfet H-Brückenschaltung (Grundlagen)
Im Unterforum Grundlagen - Beschreibung: Grundlagen und Fragen für Einsteiger in der Elektronik
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Mosfet H-Brückenschaltung (Grundlagen)
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BID = 811072
Michael K.
Neu hier
Beiträge: 26
Wohnort: Niederbayern
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Hallo,
ich hab hier schnell eine Frage, was ich einfach nicht verstehen will... 
http://de.wikipedia.org/w/index.php.....74023
Die Mosfets T1 und T3 arbeiten doch als Emittefolger. (Bei Fets heißt das warscheinlich anders, aber ich weiß es jetzt nicht) Oder gibt es sowas bei Mosfets nicht.
Ich war immer der Meinung, das der Fet nie voll durchgesteuert werden kann, wenn am Source die Last dran hängt, weil man ja nie genügend Gate-Source Spannung zusammen bringt. Aber die ganzen H-Brückenschaltungen belehren mich besseren!?!?!?!?!?
Ich bitte mal um kurze Erklärung!
Danke!
Mike |
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BID = 811073
perl
Ehrenmitglied
Beiträge: 11110,1
Wohnort: Rheinbach
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Zitat :
| | Die Mosfets T1 und T3 arbeiten doch als Emittefolger. (Bei Fets heißt das warscheinlich anders |
Sourcefolger logischerweise.
Zitat :
| | Ich war immer der Meinung, das der Fet nie voll durchgesteuert werden kann, wenn am Source die Last dran hängt, weil man ja nie genügend Gate-Source Spannung zusammen bringt. |
Stimmt, - wenn es denn ein Sourcefolger wäre.
Ist es aber in aller Regel nicht, denn es gibt spezielle Treiber-ICs, welche die Steuerspannung, genau wie bei den unteren Transistoren, auf die Source des Transistors bezogen anlegen.
Hier ein beispielhaftes Datenblatt für einen solchen 3-phasigen Treiber.
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/irf/ir2133.pdf
Hier noch ein grundlegender Arikel zu diesem Thema: www.irf.com/technical-info/appnotes/an-978.pdf
P.S.:
Du schreibst in der Überschrift u.a. "Grundlagen"
Warum postest du es dann nicht dort?
[ Diese Nachricht wurde geändert von: perl am 21 Jan 2012 2:29 ]
[ Diese Nachricht wurde geändert von: perl am 21 Jan 2012 2:46 ] |
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BID = 811086
Offroad GTI
Urgestein
Beiträge: 12710
Wohnort: Cottbus
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Um das Problem mit der aufwändigen Ansteuerung der oberen (High-Side) MOSFETs zu umgehen, werden dort (bei Versorgungsspannungen unter 20V) auch gerne P-Kanal Typen eingesetzt. Das Gate dieser Transistoren (und natürlich auch der unteren (Low-Side) N-Kanäler) wird dann auf Masse oder U+ geschaltet.
Bei einer einfachen H-Brücke geschieht dies gleichzeitig, aber selbstversändlich im Wechsel, auf der linken oder rechten Seite. Dabei arbeiten die Transistoren als Invertierer: Beispiel
Da der Source-Anschluss der N-Kanal FETs auf Masse und der der P-Kanal FETs auf U+ liegt, spielt die Lastspannung keine Rolle mehr.
_________________
Theoretisch gibt es zwischen Theorie und Praxis keinen Unterschied. Praktisch gibt es ihn aber.
[ Diese Nachricht wurde geändert von: Offroad GTI am 21 Jan 2012 8:10 ]
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