Hallo zusammen,

ich bin neu hier im Forum und möchte erstmal alle Leute hier begrüßen.

Ich habe eine Frage, wofür ich bisher keine eindeutige Antwort gefunden habe.

Ich möchte eine Leitung mit p-Mosfets schalten. p-Mosfets deshalb, weil ich in diesem Fall nicht die Masseleitung schalten kann. Da ich mit dem Schalter in beide Rictungen sperren möchte, dachte ich daran, 2 Mosfets antiseriell hintereinander zu schalten. Damit sollten sich die Inversdioden gegenseitig "blockieren".
Nun habe ich aber zum Thema Mosfet mehrfach gelesen, dass sie sich in inverser Beschaltung wie eine Diode verhalten, was in meinem Fall einen unerwünschten Spannungsabfall zur Folge hätte.

Meine Frage ist nun: Ist es tatsächlich so, dass der Mosfet sich in Inversbetrieb immer wie eine Diode verhält? Egal welche Spannung an Gate anliegt?
Ich kann mir das schwer vorstellen, denn wenn zwischen Drain und Source schon ein Strom fließt und ich vergrößere den leitenden Kanal durch anlegen einer Spannung an Gate (bzw. keine Spannung beim p-Mosfet), sollte der Widerstand doch genauso klein werden, wie in Source-Drain-Beschaltung.

Zumindest, wenn ich die Schaltung mit LTSpice simmuliere, verhält sich der Mosfet genau so, wie ich das möchte. Aber Software ist ja nur so schlau, wie der, der sie bedient.

Kann mir das vielleicht jemand erklären, bzw. hat jemand sowas schonmal ausprobiert?

Vielen Dank schonmal fürs lesen

Frank

Hi Frank,

Gruß zurück!

Auch ausserhalb von LTSpice verhält ich ein Mosfet so.
Man nutzt das z.B. bei Synchrongleichrichtern.
Die Bodydiode ist "immer da" und kann somit auch immer einen Strom tragen, dann aber mit deutlichem Spannungsfall (ist halt ne Diode). "Parallel" zu dieser Diode kann man dann noch den Kanal einschalten, und schon wird der inverse Strom nahezu verlustfrei geleitet. Dann muss man aber darauf achten, dass man (die Ansteuerschaltung) es auch mitbekommt, wenn sich die Strommflussrichtung ändert, um den Fet dann wieder auszuschalten.

>>Egal welche Spannung an Gate anliegt?
Es muss die richtige (im P-Fall negative) Spannung am Gate im Vergleich zu Source anliegen. Bei 2 Fets können die beiden Sourcen "innen" oder "aussen" liegen, dass macht dann sehr wohl einen Unterschied. Wenn die Sourcen aussen liegen und die dort angelegte Spannungen (im Fehlerfall) ansteigen, deine Gatetreiber aber mit einem festen High-Pegel arbeiten, dann schalten sich die Fets automatisch ein, sobald
Uaussen > UHigh_Gatetreiber - Ugs_threshold_des_Mosfet
ist.Auf Anhieb habe ich da hier gefunden:
http://www.seiko-instruments.de/fil.....n.pdf
(aber nicht gelesen!). Da geht es um 2 Fets in Serie. Vielleicht hilft es.


Gruß
Harald

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*..da waren sie wieder, meine 3 Probleme: 1)keiner 2)versteht 3)mich
* Immer die gültigen Vorschriften beachten und sich keinesfalls auf meine Aussagen verlassen!

Edit: Typo, Formel angepasst (Maschenregel ), beachte: Ugs_th < 0 bei P-Mosfet

[ Diese Nachricht wurde geändert von: Harald73 am 17 Nov 2010 14:59 ]

Hallo Harald,

vielen Dank für die schnelle Antwort. Ich habe schon seit Wochen im Internet und in Büchern recherchiert, aber nix eindeutiges dazu gefunden. Bei Inversbetrieb wird immer nur auf das Dioden-Verhalten hingewiesen.

Hätte mich auch sehr gewundert, wenns anders wäre, wie du es beschrieben hast. Aber nun weiß ichs sicher.

Zitat :

Bei 2 Fets können die beiden Sourcen "innen" oder "aussen" liegen, dass macht dann sehr wohl einen Unterschied. Wenn die Sourcen aussen liegen und die dort angelegte Spannungen (im Fehlerfall) ansteigen, deine Gatetreiber aber mit einem festen High-Pegel arbeiten, dann schalten sich die Fets automatisch ein, sobald Uaussen > UHigh_Gatetreiber + Ugs_threshold_des_Mosfet ist.

Das ist natürlich noch ein guter Hinweis...hatte ich noch garnicht bedacht. werd mir die datei auch mal durchlesen.

Nochmal vielen Dank

Gruß
Frank

Viele Solid-State-Relais arbeiten mit 2 antiseriellen FET, siehe z.B.:
http://www.datasheetcatalog.org/datasheets2/58/58300_1.pdf

Onra

Hallo Onra,

danke auch an dich..

Gruß
Frank