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Mos Fet Transistor mit ausgeführtem Bulk
Suche nach: transistor (12335) |
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BID = 51859
inst
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Hi Leute!
Ich bin auf der Suche nach einem Mos Fet Transistor mit ausgeführtem Bulk (1A, 400V)
Kennt jemand von euch so einen Transistor Typ?
MFG inst |
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BID = 51863
perl
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Sorry, einen so großen kenn ich nicht.
Kleine Leistungen gabs früher in dieser Art, sogar ohne Schutzdioden am Gate  , und auch heute noch kann man mit der CD4007 bzw. deren analog spezifiziertem Pendant rumspielen, aber bei so großen muß ich passen.
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Haftungsausschluß:
Bei obigem Beitrag handelt es sich um meine private Meinung.
Rechtsansprüche dürfen aus deren Anwendung nicht abgeleitet werden.
Besonders VDE0100; VDE0550/0551; VDE0700; VDE0711; VDE0860 beachten ! |
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BID = 52053
chilla
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*Wissenslücke  *:
für was braucht man nochmal den Substratanschluss?
mfg CHillA
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BID = 52077
perl
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Braucht man kaum und deshalb ist er i.d.R auch mit Source verbunden.
Man hat damit eine zweite Steuermöglichkeit, denn man kann damit den Kanal wie bei einem Sperrschicht-FET von hinten einschnüren.
Wozu das unser HTLer braucht, würd ich auch gern wissen.
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BID = 52081
chilla
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Ja, stimmt; danke für die info.
vielleicht will er ja sowas wie einen FET mit zwei Gates realisieren (so wie eine Röhre mit zwei gittern)
aber ob sowas funktioniert???
mfg CHillA
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BID = 52091
perl
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Dual-Gate-Mosfets gibt es. Elektrisch entsprechen die aber eher einer Kaskodenschaltung.
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inst
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Hi!
Also benötigt wird ein solcher Mos Fet für unser Maturaprojekt, bzw. ein Netzteil, dass aus einer Eingangwechselspg. zw. 2V und 20V eine stabile Gleichspg. von 12V liefert.
Wir werden einen Transistor (FET, mit UD=18V, US=18V) schalten, haben dafür aber nur 6V zur verfügung. --> Wir kriegen die Spannungsdifferenz von ca. 5V zwischen G und B nicht zusammen. Wenn jetzt B nicht mit S zusammengeschlossen wäre, könnten wir B auf GND legen und zwischen G und B auf diese Weise ein Feld von 6V aufbauen.
MFG inst
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