NPN Transistor Base-Spannung Im Unterforum Bauteile - Beschreibung: Vergleichstypen, Leistungsdaten, Anschlußbelegungen .....
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BID = 893655
Minotaurus1337 Stammposter
Beiträge: 267
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Hallo,
Ich hab mal nen Paar Anfängerfragen zum Transistor-Datenblatt Algemein.
HIERdas Anschauungspbjekt ...
Ist dort gemeint dass die Base-Emitter Spannung 5 V Betragen muss um die Collector - Emitter Strecke zu 100% Durschzuschalten oder ist gemeint das dort Maximal 5V Anliegen dürfen und der Transistor sonst abraucht wenn es mehr werden ?
DENN ich habe es Ausprobiert für sekunden bis Minuten ohne Kühler, ich habe 9V auf die Base-Emitter Strecke gegeben und damit 0,5 A mit einem Volt über die Collector-Emitter Strecke laufen lassen. Der Transistor ist nichtmal heiss geworden.
Desweiteren habe ich mal gelernt das der Strom und nicht die Spannung den Ausschlag gibt ob die Base Aktiviert wird oder nicht aber im Internet lese ich mal das es an der Spannung liegt und mal das der Strom wichtig wäre. Wenn beides stimmt wärs ja wohl die Leistung von der alles abhängig ist was aber garantiert Falsch ist XD.
Danke für Belehrungen zum Thema =D ...
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BID = 893656
perl Ehrenmitglied
Beiträge: 11110,1 Wohnort: Rheinbach
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Zitat :
| st dort gemeint dass die Base-Emitter Spannung 5 V Betragen muss um die Collector - Emitter Strecke zu 100% Durschzuschalten oder ist gemeint das dort Maximal 5V Anliegen dürfen und der Transistor sonst abraucht wenn es mehr werden ? | Weder noch.
Betriebsmäßig verhält sich die BE-Strecke ähnlich wie eine normale Sperrschichtdiode, d.h. Flußspannung um 0,7V und auf den Strom aufpassen.
Mit den 5V ist die maximale Sperrspannung dieser Diode gemeint, denn bei Si-Transistoren findet gewöhnlich in der Gegend von 6..7V ein Zenerdurchbruch statt. |
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BID = 893661
Minotaurus1337 Stammposter
Beiträge: 267
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Ah verstehe, was heisst das ich diesen Wert getrost ignorieren kann solang ich einen geeigneten Vorwiderstand an die Base setze bzw. in meinem Fall ist der Strom auf der Base sowieso auf 0,1 A begrenzt.
Vielen Dank ...
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BID = 893674
perl Ehrenmitglied
Beiträge: 11110,1 Wohnort: Rheinbach
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Zitat :
| heisst das ich diesen Wert getrost ignorieren kann |
Ja, dieser Wert spielt seltener eine Rolle.
Beispielsweise führt dieser Durchbruch der BE-Sperrschicht in astabilen Multivibratoren, die mit mehr als 6V betrieben werden, zu einer beschleunigten Entladung der Kondensatoren, so daß die Formel für die Frequenz nicht mehr stimmt.
Oder es können bei Spannungswandlern die induktiven Bauteile derart heftige negative Spannungsspitzen erzeugen, daß der Transistor beschädigt wird.
In solchen Fällen genügt es oftmals eine "richtige" Diode in Reihe mit dem Basisanschluß zu legen.
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BID = 894236
Offroad GTI Urgestein
Beiträge: 12716 Wohnort: Cottbus
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Zitat :
| dort gemeint dass die Base-Emitter Spannung 5 V Betragen muss |
Dort steht nichts von Basis-Emitter Spannung, sonder Emitter-Basis Spannung. Also die Spannung am Emitter, mit Bezug zur Basis. Dies wiederum entspricht nicht anderem, als einer negativen Basis-Emitter Spannung.
Die Reihenfolge der Indizes ist nicht umsonst so gewählt.
Zitat :
| solang ich einen geeigneten Vorwiderstand an die Base setze |
Und nur eine unipolare Versorgungsspannung vorhanden ist. Wenn du den Transistor bspw. über einen bipolar versorgten OPV ansteuerst, wird die Sperrspannung überschritten, wenn der Ausgang des OPVs an die negative Versorgung geht.
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Theoretisch gibt es zwischen Theorie und Praxis keinen Unterschied. Praktisch gibt es ihn aber.
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