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1 - großer spannungsabfall am SNT -- großer spannungsabfall am SNT | |||
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2 - Regelbare Hochspannungsquelle DC, selbstbau -- Regelbare Hochspannungsquelle DC, selbstbau | |||
Es gibt eigentlich 2 Arten von Trafos:
a) die alten die direkt 10-25kV für einen TV liefern, meist mit einem Gleichrichterstab b) die neueren, die an einer Kaskade angeschlossen werden und nur rund 8kVss liefern, dafür aber einen sehr dicken Draht auf der Sekundärseite haben (und oftmals eine 50mA Sicherung). Weiterhin verwende ich kein Rechteck, sondern einen sauberen Sinus zur Ansteuerung, weshalb keine HF Oberwellen + Spannungsspitzen entstehen, die einen Überschlag in den Windungen erzeugen. Die Schaltung ist eine Gegegentaktendstufe mit Kondensator parallel zur Primärwicklung. Die Mittelanzapfung wird über eine Spule mit der Betriebsspannung verbunden. Außerdem verwende ich keine MOSFETs, sondern 2N3055. Einen Kühlkörper braucht man erst ab etwa 50W aufwärts. Durch die Sinusförmige Ansteuerung schalten die Transistoren nur im Nullpunkt. Da hier kein Strom fließt, hat man keine Schaltverluste. Das geht wunderbar auch mit MOSFETs bis in den MHz Bereich. Meine MOSFET Endstufe für eine Teslaspule liefert >300W bei 100-500kHz. In den MOSFETs werden dabei nicht mehr als 10-20W verheizt.... | |||
3 - mal wieder ein SNT... -- mal wieder ein SNT... | |||
google mal etwas, da findest du sehr viele PDFs...
Flyback: Spitzenstrom = 4x Mittelwert, also 4x 6,6A bei 2kW -> >25A Spitzenspannung mindestens 2x Betriebsspannung, also >800V 800V 25A MOSFETs kosten ne Menge... Die gesamte Energie muss im Kern zwischengespeichert werden, dadurch muss der Kern sehr groß werden und einen großen Luftspalt haben, um nicht in die Sättigung zu kommen. Da man den Strom = Leistung die in den Trafo fließt regeln kann ist das Netzteil kurzschlußfest. Die Ausgangsspannung ist im Leerlauf (theoretisch) unendlich hoch -> Regelung notwendig. Da die Spannung sprungartig ansteigt bekommt man bei 15kV Probleme mit den Kapazitäten der Sekundärspule und mit Sprühentladungen zwischen den Windungen. Halbbrückke/Vollbrücke: Im Prinzip dasselbe, nur bei der Halbbrücke wird die Primärwindung mit der halben Betriebsspannung angesteuert als bei der Vollbrücke -> dafür doppelter Strom. Der Vorteil: Die Energie wird direkt übertragen, fließt nur durch den Kern, wird also nicht gespeichert. Dadurch kann der Kern sehr klein sein. Die Ausgangsspannung ist im Leerlauf nicht viel höher als unter Last (wenn man die Induktionsspitzen entsprechend dämpft). Außerdem hat man ein sauberes Rechteck als Ausgangssignal, ... | |||
4 - Strombegrenzung -- Strombegrenzung | |||
Hallo,
ich habe wieder mal ein Problem ![]() Ich habe eine nette Endstufe die mir 100-400kHz bei bis zu 500W liefert. Damit betreibe ich dann Teslaspule, den Induktionsofen oder lasse Alufolie schweben (bis diese aufglüht und zu Boden tropft). Allerdings ist das ziemlich teuer, da die IRF740 regelmäßig durchschlagen. Den Grund habe ich auch gefunden: Überstrom. Deshalb möchte ich eine Strombegrenzung hinzufügen. Mein Problem: Wenn ich das Oszillatorsignal unterbreche, dann ist ein MOSFET für eine kurze Zeit (einige ms) leitend, und entläd einen der 660nF Kondensatoren, was höchst warscheinlich den entsprechenden MOSFET zerstört. Das Rechtecksignal wird per 4046 erzeugt. Ich dachte an einen Übertrager zwischen MOSFETs und L1 um den Strom zu messen, in eine Gleichspannung umzuwandeln und damit den Inhibit Eingang des 4046 zu steuern. Allerdings tritt dann das obige Problem auf. ![]() Und noch was: Die obige Schaltung wird eine Teslasspule nicht ansteuern können. Die MOSFETs werden sich nach wenigen Sekunden verabschieden. Allerdings habe ich den dafür notwendigen kleinen Trick absichtlich weggelassen, um die Schaltung übers... | |||
5 - Schaltzeiten von Shottky Dioden -- Schaltzeiten von Shottky Dioden | |||
Danke,
ich erkläre auch kurz deren Zweck: Es handelt sich um eine Treiberstufe für eine Teslaspule. Das heißt, es fließt ein Sinusförmiger Strom. Wenn nun eine Totzeit zwischen den beiden Schaltzuständen besteht, fließt der Strom trotzdem, und zwar durch die Body Diode des MOSFETs. Diese ist mit >100ns sehr langsam. Wenn dann die MOSFETs umschalten, ist die Diode noch leitend und es knallt. Aus diesem Grund habe ich eine BYV32 antiparallel zum MOSFET und eine Schottky in Reihe mit dem MOSFET, damit dessen Diode nie leitend wird. Aus diesem Grund muss die Schottky Diode schneller sein als die BYV32. Und dieser Trick funktioniert wunderbar ! Damit schalte ich mit 2x IRF740 etwa 1kW, und deren 10x5xm Aluplatte als Kühlkörper wird nur etwa 40°c warm ! ... |
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