Erst einmal vielen Dank für Deine Antwort. Habe das jetzt noch mal mit Deinen Hinweisen im Hinterkopf nachvollzogen, doch leider kann ich mir noch keinen rechten Reim auf die Funktionsweise des MOSFETs (unter Zuhilfename meiner sperrlichen e-Kenntnissen) machen.

Zitat :

Zitat : dass da über D-S eine Z-Diode drin hängt. Vergiss die Substratdiode. Der Durchbruch erfolgt erst bei Spannungen, die du wohl nicht mehr messen kannst

Ich dachte immer eine Zener-Diode verällt sich in Durchlassrichtung wie eine normale Diode; nur in Sperrrichtung bricht sie im gegensatz zu normalen Dioden ab einer Bestimmten Spannung (unfallfrei ) durch. Das würde doch in diesem Falle heißen, dass in D-S-Richtung ungehindert -- wie bei jeder anderen Diode auch -- ein Strom, auch ohne Gate fließen können müßte. Nur in umgekehrter Richtung, also in Sperrichtung der Z-Diode kann ohne Spannung am Gate, solange die Durchbruchsspannung der Z-Diode nicht überschritten wird, kein Strom fließen. Korrekturen meiner, unter Umständen völlig falschen Interpretation sind herzlich willkommen.

Hier noch mal das Schaltbild des Bauelementes aus dem Datenblatt:

IRFU9024N:       Drain
                   |
   |  |------------|
   |               -
   |  |---|>-|     V     <--- Z-Diode
G  |         |    \-\
a -|  |------------|
t                  |
e                 Source

Zitat :

Zitat : D-S-Strecke ist also leitend ohne das am Gate ein Strom anliegt? (..) Du musst also vor dem Test das Gate entladen indem du G und S kurzschliesst. Dann muss die D-S Strecke sperren. Tut sie es nicht, dann ist der Transistor hin.

Beide FU9024N sperren nicht(!!) auf der D-S-Strecke, ABER auf Grund des Schaltbildes des Datenblattes des Herstellers (s.o., Stichwort Z-Diode auf der D-S-Strecke), ist das für mein bisheriges Verständnis (s. auch o.) auch nicht verwunderlich -- würde mich aber auf jeden Fall über genauere Aufklärung freuen. Irritierend finde ich allerdings schon, dass auch in umgekehrter Richtung, also S-D-Strecke ein Strom fließt, wenn auch ein geringerer. Habe dafür natürlich vorher Gate und Source (und auch Drain) via Kurzschluss aufs selbe Potential gebracht.

PS: Hab ich den Beitrag in die falsche Rubrik gestellt oder wurde der Beitrag verschoben? Sollte eigentlich nach "Elektronik und Elektrotechnik" -> "Bauteile". Wäre nett, wenn das jemand mit den entsprechenden Rechten berichtigen könnte. :)

1) Das ist ein P-Kanal-MOSFET.
Das bedeutet, dass im Normalbetrieb Drain negativ gegenüber Source ist.
Die Bodydiode sperrt unter diesen Umständen bis zu Spannungen die jenseits der erlaubten 60V liegen.
Wenn Drain positiv gegenüber Source wird, was aber normalerweise vermieden wird, leitet diese parasitäre durch die Herstellung bedingte Diode ebenso wie jede andere Diode.
Sie hält genausoviel Strom aus wie der Transistor.

2) Bei U_GS=0 muss der Transistor sperren, sonst ist er hin.
Desungeachtet leitet dann natürlich trotzdem die dem eigentlichen Transistor parallelliegende Bodydiode ab etwa 0,5V wenn man Drain positiv gegenüber Source macht.

[ Diese Nachricht wurde geändert von: perl am 14 Sep 2009 20:00 ]