Naja, entweder steht da nichts über den Sperrstrom oder ich sehe es nicht.
Ich sehe nur, dass der Sperrstrom überall schon gegeben ist und nirgendwo hergeleitet (abgeleitet) wird.

Hab allerdings in einer anderen Quelle etwas gefunden aus der hervorgeht:

So wie es aussieht ist die Ursache für den Sättigungssperrstorm wohl die Driftbewegung der Minoritätsträger im PN Übergang.

Ist das so richtig?

Die Sättigung versteh ich nun so, dass wegen des E-Feldes (Raumladungszone) die Anzahl der driftenden Ladungsträger in Sättigung geht.

Nun wäre der Sättigungssperrstrom im Bipolartransistor, jeweils der Sperrstorm einer Diode (Basis-Emitter oder Basis-Kollektor)
und zwar abhängig davon ob Inversbetrieb oder Naormalbetrieb vorliegen.

Wäre jut wenn jemand der einen Durchblick hat das alles geradabiegan könnte

Grüsse
abracadabra