Hi,
danke für deine Antwort. ich hab mich mal mit diesem FET auseinander gesezt. Kann mir jemand sagen, ob ich das so wiet richtig verstanden habe?

Die p- u. n-dotierten Bereiche eines Halbleiters sind leitend, da entweder ein Elektron zu viel für das Kristallgitter vorhanden ist (n-dotierter Halbleiter) oder ein Elektron zu wenig vorhanden ist (p-dotierter Halbleiter). Trotzdem sind diese Stoffe elektrisch neutral, weil komplette Atome und somit auch die entsprehende Anzahl an Protonen ersetzt wird.
Hat man jetzt in einem Kristall einen p- und einen n-dotierten Bereich, kommt es zur Rekombination und somit zu einem nicht-leitenden Bereich, da der p-n-Übergang oder die Raumladungszone weder p- noch n-dotiert ist. Die beiden Bereiche neutraliesieren sich nicht vollständig, da der Diffusionskraft, die dafür verantwortlich ist, dass die Majoritätsladungsträger in das jeweils andere Halbleitermaterial gezogen werden, ein elektrisches Feld entgegenwirkt. Sobald sich ein Gleichgewicht aus Diffusionskraft und Coulombkraft eingestellt hat, kommt es zu keiner weiteren Rekombination. Je größer die Raumladungszone ist, desto schlechter leitet das gesamte Material. Wenn man aber eine zusätzliche Spannung an den Kristall anlegt, die zwischen p- und n- Kristall wirkt, haben die Majoritätsladungsträger zusätzliche bzw, weniger Energie um das elektrische Feld in der Raumladungszone zu überwinden wodurch sich auch die Größe des p- n-überganges verändert. Dadurch verändert sich dann auch die speziefische leitfähigkeit des Kristalls.
Habe ich das so wiet richtig verstanden oder ist in der Ausführung etwas falsch?
Ich habe mir dazu mal das Schema des JFET angesehen, den ich bei Vikipedia gefunden hab. Das Schema hab ich als Bild hochgeladen. Wenn ich das richtig verstanden habe, soll zwischen Drain und Source ein Strom fließen, der durch die spezifische Leitfähigkeit des n-Kanals mehr oder weniger stark abgeschwächt werden soll. Um den Widerstand des Kanals zu verändern, wird hier aber eine Spannung zwischen zwei p-dotierten Bereichen angelegt. ich verstehe nicht wieso das einen Einfluss auf die effektive Größe der Raumladungszone hat. Eigentliche müsste doch eine der im Bild grauen Bereiche größer und der andere kleiner werden, was dann gar keinen Effekt hätte oder doch?

mfg

Lucas

[ Diese Nachricht wurde geändert von: Lucas__ am 15 Jul 2007 21:20 ]

Schau noch mal hier http://de.wikipedia.org/wiki/JFET nach: Die Steuerspannung wird nicht zwischen den beiden p-Gebieten angelegt. Vielmehr werden die beiden p-Gebiete miteinander verbunden (bzw. sie sind intern verbunden) und zwischen diesen und dem n-Gebiet wird die Steuerspannung angelegt. Damit vergrößern oder verkleinern sich beide Sperrzonen um die p-Gebiete in gleicher Weise.

Hi
ich ahbe mich mal auf die Suche nach JFETs begeben. Es gibt im Prinzip zwei Typen, die man so kaufen kann. ich kann nur leider aus den Daten, die dabei stehen aufgrund meiner Unwissenheit nicht rauslesen, was für eine Spannung man zwischen dem p- und n- dotierten Bereich anlegen kann.
Ich suche etwas, was am besten so zwischen 3 und 0,4V arbeitet. Das heißt bei 3V soll der Widerstand möglichst klein sein und bei 0,4V soll er möglichst groß sein.

Der eine ist ein JFET von fairchild
er hat folgende Daten:
* RoHS -konform: Ja
* Gehäusetyp: TO-92
* Gfs max.: 6.5mA/V
* Gfs min.: 2mA/V
* Leistung, Ptot: 200mW
* Leistungstemperatur: 25°C
* Pin Konfig.: k
* Spannung, Uds(V) max.: 25V
* Spannung, Ugs aus(V) max.: 8V
* Strom, Idss max.: 20mA
* Strom, Idss min.: 2mA
* Strom, Ig: 10mA
* Transistor, Typ: JFET
* Typische Anwendung: GPA
* Wandlerpolarität: N-Kanal
* Zahl der Pins: 3
* Zahl der Transistoren: 1

der andere ist ein JFET von Philips
er hat diese Daten:
# RoHS konform: Ja
# Transistor, Typ: JFET
# Wandlerpolarität: N Channel
# Spannung, Uds(V) max.: 25V
# Gehäusetyp: SOT-23
# Spannung, Ugs aus(V) max.: 2V
# Leist

kann mir einer sagen, mit welchen Spannungen die beiden typen arbeiten?
Und kann man aus diesen Daten auch was über die Widerstandswerte aussagen, in denen sich die FETs bewegen?

mfg

Lucas

[ Diese Nachricht wurde geändert von: Lucas__ am 17 Jul 2007 12:19 ]

[ Diese Nachricht wurde geändert von: Lucas__ am 17 Jul 2007 12:33 ]

Schau dir anstelle der Kurzdaten die vollständigen Datenblätter an, dort steht alles drin.

Wenn du simulieren willst, brauchst du auch die Spice-Parameter.

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Besonders VDE0100; VDE0550/0551; VDE0700; VDE0711; VDE0860 beachten !

Zitat :

bei 3V soll der Widerstand möglichst klein sein und bei 0,4V soll er möglichst groß sein

Das wäre dann ein Enhancement-FET, also ein "normaler" FET. 3V für volles Durchsteuern ist aber zb. für einen BUZ11 zu wenig, du müsstest entweder Logic-Level-FETs nehmen (die sind teurer) oder die Steuerspannung verstärken. Falls du noch ein kaputtes P3-Board hast (bei denen der Prozessor auf einer Extra-Platine sitzt) hast du Glück, denn da sind sehr hochwertige LL-FETs mit teilweise unter 10Milliohm On-Widerstand.

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