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BID = 404483
roosen
Gerade angekommen
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Wohnort: Bochum
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Hallo,
vielleicht kann mir hier jemand helfen?
Ich will gezielt einen Fet mit einer Spannungsspitze zerstören. Welche beiden Beinchen des FET's sollte ich da anschließen?
Die Spannungsspitze kommt aus einem Piezoelektrischem Sensor, wie er z.B. in einem Feuerzeug montiert ist.
Ziel ist es eine Sperrschicht zu zerstören. Da ich mich mit diesem Bauteil nicht auskenne und durch Experimente herausgefunden habe, dass Bei falschem Anschluss sich sie Sperrschicht wieder aufbaut wollte ich mich hier mal umhören.
Gruß
Roosen  |
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BID = 404489
Goetz
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Wozu soll das gut sein?? Vortäuschen eines Schadens durch Blitzschlag?? |
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BID = 404497
faustian.spirit
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Also ich denke für Hobbymikroskopiker, Studenten der Festkörperphysik, Leute die das Verhalten eines Geräts in diesem (Aus)Falle untersuchen wollen, oder für rituelle Bauteilopfer ... ist das auch interessant...
Übrigens: Sperrschicht != Isolierschicht bei FETs
Man muss ja nicht gleich allen Leuten Böswilligkeit unterstellen.
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BID = 404498
roosen
Gerade angekommen
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Soll zur messtechnischen erfassung dienen. Ohne Spannungsstoß hat der FET eine hohe Sperrschicht --> hochohmiger Widerstand. Nach dem Spannungsstoß sollte die Sperrschicht zerstört sein und der Widerstand messbar sein.
Gruß
Roosen
Ist für die entwicklung eines Bauteils....
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BID = 405311
photonic
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Die Vorstellung die du von einem FET hat ist etwas falsch, allerdings ist es kein Problem ihn mittels etwas Überspannung zu zerstören.
Einen Überschlag zwischen Gate und Source verabschiedet den Transistor jedenfalls sicher.
Dieser schaden ist irreparabel, es baut sich also keine "Sperrschicht" mehr auf wie du in deinem ersten Post geschriebn hast. Wenn das Gate-Dielektrikum hinüber ist , ist das eingültig... 
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BID = 405325
perl
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Zitat :
| | ie Vorstellung die du von einem FET hat ist etwas falsch, |
Zumindest schreibt ja roosen nicht, um welche Art von FET es geht. Bei JFETs ist ja ein nicht destruktiver Durchbruch möglich, und auch bei MOSFETs kann man, wenn man seher vorsichtig vorgeht, da Einsetzen eines Tunnelstroms beobachten. Darüberhinaus gibts MOSFETs mit integrierten Schutzdioden.
Falls es überhaupt um Transistoren auf Si-Basis geht, denn GaAs-FETs sind noch etwa anders 
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Bei obigem Beitrag handelt es sich um meine private Meinung.
Rechtsansprüche dürfen aus deren Anwendung nicht abgeleitet werden.
Besonders VDE0100; VDE0550/0551; VDE0700; VDE0711; VDE0860 beachten !
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BID = 405384
photonic
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stimmt, ich war da ain wenig vereinfachend und habe nur an MOSFETs mit Gateschaden,z.B durch ESD gedacht...
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