Zitat :

Beide in TO-247 Bauform, der IRFP 260N mit 0,5°C/W, der IXFH 50N30Q3 mit 0,18°C/W.

Die Datenblattwerte sind schön und gut, nur müssen die Teile auch entsprechend gut thermisch kontaktiert auf einen passenden Kühlkörper montiert werden.

Zitat :

- Grenze "oben": 200A (zwischen 7V und 100V, je nach Pulsdauer) - Grenze "rechts": 200V (1,5A bis 100A, je nach Pulsdauer)

Du hast auch gesehen, wie kurz diese Impulse sind? Da geht es bis in den µs-Bereich
Großzügig Abstand von diesen Kennlinien zu halten schadet auch nicht, sonst passiert das, was in dem vorher genannten Video passiert ist...

Zitat :

noch nicht durchstiegen habe, warum der Maximalstrom bei niedrigeren Spannungen *niedriger* ist:

Steht doch da: "Begrenzt durch Einschaltwiderstand".
Es ist an der Stelle wie jede andere Widerstandskennlinie (Schnittpunkt bei U=0, I=0)

Zitat :

Dafür aber als Last an sich, und nicht um eine andere Last zu schalten.

Ist dem MOSFET egal und er kann den Unterschied auch nicht erkennen. Er "sieht" nur einen gewissen Strom und eine bestimmt Spannung an seinen Anschlüssen.

Zitat :

Oder wäre es sinnvoller, noch eine Leistungswiderstand als Last auf den gleichen Kühlkörper zu nehmen?

Kann man natürlich machen, wenn die Anwendung es erlaubt. Da muss vorher aber ordentlich gerechnet werden, um zu sehen, ob sich das ausgeht.
Dioden wären eine Alternative, da dort der Spannungsfall (mehr oder weniger) unabhängig vom Strom ist. Je Si-Leistungsdiode hast du ja etwa 1V Spannungsfall.

Zitat :

bei diesen monströsen Werten im Datenblatt vom IXFH 50N30Q3 sollte ein einzelner Mosfet für "bis 36V, bis 30A, bis 200W" reichen?

Sollte vielleicht. Aber wie schon am Anfang gesagt, ist es nicht einfach, 200W aus einem Transistor effektiv wegzukühlen. Daher: Parallelschaltung von mehreren.

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Theoretisch gibt es zwischen Theorie und Praxis keinen Unterschied. Praktisch gibt es ihn aber.

Zitat : Offroad GTI hat am  4 Dez 2024 18:23 geschrieben :

Dioden wären eine Alternative, da dort der Spannungsfall (mehr oder weniger) unabhängig vom Strom ist. Je Si-Leistungsdiode hast du ja etwa 1V Spannungsfall.

Genau das war tatsächlich meine Anfangsüberlegung - zwei duzend dicke Dioden in Reihe, und mit einem Amperemeter zwischen den einzelnen Dioden abgreifen. Dann überlegte ich, wie ich die Dioden am besten kühle, schaute nach TO-220, feiner abgestuften Spannungsstufen usw, und kam nach einer Weile weiterem Featurecreep bei der aktuellen Schaltung raus

Zitat :

Dann überlegte ich, wie ich die Dioden am besten kühle, schaute nach TO-220,

TO220 wäre eine Variante, oder ein dicker Gleichrichter.
https://www.reichelt.de/brueckengle.....p;r=1
Über die Plus- und Minus-Anschlüsse hast du da bekanntlich immer zwei Dioden in Reihe. So fein brauchst du ja auch keine Abstufung, es soll ja nur Leistung ver werden.



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Theoretisch gibt es zwischen Theorie und Praxis keinen Unterschied. Praktisch gibt es ihn aber.

Ich würde auch mit der Max. Last und der max. Temperatur Tj rechnen.
Entsprechend der Kühlung kannst du den Mosfet entsprechend belasten.

SOA ist eher für Impulsbelastung, diese hast du aber hier nicht.

Zitat :

SOA ist eher für Impulsbelastung,

Nein, auch für DC. Sonst bräuchten die Hersteller die Diagramme ja nicht erstellen
Und da bist du (auch bei moderaten Spannungen weit unter Nennspannung) schnell weit unter der thermischen Grenzleistung.

Wenn im SOA-Diagramm keine Kennlinie für DC ist, hat der Hersteller dies nicht spezifiziert, weil der Transistor dafür dann wohl nicht geeignet ist.



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Theoretisch gibt es zwischen Theorie und Praxis keinen Unterschied. Praktisch gibt es ihn aber.

[ Diese Nachricht wurde geändert von: Offroad GTI am  4 Dez 2024 19:41 ]

Da ich Zugriff auf ein kommerzielles Gerät habe, stellt sich die Frage nicht. Aber wenn ich mir eine Last bauen wollte, würde ich mich an der sehr gut dokumentierten von Peter Hofbauer orientieren:
http://www.hcp-hofbauer.de/indexisg9050.htm
Auch seine anderen Projekte sind sehenswert.

Onra

Zitat : krutz hat am  4 Dez 2024 17:22 geschrieben :

IRFP 260N: - Grenze "oben": 200A (zwischen 7V und 100V, je nach Pulsdauer) - Grenze "rechts": 200V (1,5A bis 100A, je nach Pulsdauer) - 36V: ca 13A - 30A: von 2V bis 9V - bis 11V: 11A oder mehr

Schau auf Seite 1 unter Absolute Maximum Ratings: Da steht 300 W wenn man irgendwie die Gehäusetemperatur (T_C) auf 25°C halten kann.
Wasserkühlung oder Flüssiggase evtl., ansonsten ist das recht unrealistisch.

Die SOA ist wie schon gesagt für Pulse und rechnerisch größer:
Ich lese bei 10 V etwas 45 A (=450 W) bzw. 3,5 A bei 100 V (=350 W).
Realistischerweise bleibt man etwas von den 300 W weg.

Deshalb mein Ausgangskommentar, dass ich 150 W (50% von P_AMR) bei guter Kühlung halbwegs plausibel halte.

Bei Absolut Maximal Rating steht unter "Linear Derating Factor" = 2W/°C
Das ergibt bei Tc = 100°C = 2W*(100°C -25°C) = 300W - 150W = 150W.

Es ist noch immer Absolute Maximal Rating und hier sollte nochmals eine Sicherheit eingebaut werden. Also max. 100W Verlustleistung bei TC=100°C.

Muss man aber erst durch Kühlkörper und Isolierfolie wegbringen.

Zitat :

Die SOA ist wie schon gesagt für Pulse und rechnerisch größer:

Das hat roger34 gesagt, und es ist immer noch falsch

Der berühmt berüchtigte IRFP 260N hat auch keine Spezifikation für DC-Betrieb im SOA-Diagramm...



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Theoretisch gibt es zwischen Theorie und Praxis keinen Unterschied. Praktisch gibt es ihn aber.

Zitat :

Deshalb mein Ausgangskommentar, dass ich 150 W (50% von P_AMR) bei guter Kühlung halbwegs plausibel halte.

Ein TO247 Gehäuse hat eine Oberfläche von etwa 2cm² wo die 150W dann durch müssen, macht also 75W/cm². Beim TO220 ist es entsprechend noch schlimmer


Im Vergleich dazu hat eine Glaskeramik-Kochplatte mit 15cm Durchmesser und 1300W nur eine Flächenleistung von 7W/cm²



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Theoretisch gibt es zwischen Theorie und Praxis keinen Unterschied. Praktisch gibt es ihn aber.

Zitat : Offroad GTI hat am  5 Dez 2024 10:10 geschrieben :

Ein TO247 Gehäuse hat eine Oberfläche von etwa 2cm² wo die 150W dann durch müssen, macht also 75W/cm². Beim TO220 ist es entsprechend noch schlimmer Im Vergleich dazu hat eine Glaskeramik-Kochplatte mit 15cm Durchmesser und 1300W nur eine Flächenleistung von 7W/cm²

Ach, alles relativ. Die Leistung pro Fläche ist nebensächlich wenn der thermische Widerstand passt.

Beim IXFH 50N30Q3 ist Junction-Case 0,18K/W. Ergibt bei unseren 150W gerade mal +27K. Flüssigmetall"paste" hat 0,01K/W, ordentliche CPU-Kühler 0,1K/W.
Ergibt bei 150W gerade mal 65°C T_Junction. Für max erlaubte 150°C laut Datenblatt ist das doch ganz ordentlich, für <50€ und bei einem halben Liter Volumen.
Wer YOLO mag, kann bis 450W gehen. "Ich habe für die vollen 150°C T_Junction bezahlt, also nutze ich auch die vollen 150°C!"

Verstehe nicht warum man sich darüber so lange einen Kopf macht.
> 10 Mosfets kosten doch nichts, in irgendwelchen alten Wechselrichtern gibts die dutzentweise.
Alte Li-Akkus kommen nun auch, da stecken in den BMS gut 2x20 Stück. Das werden wohl vorrangig Schalter sein ...

Zitat : krutz hat am  5 Dez 2024 16:18 geschrieben :

Ach, alles relativ. Die Leistung pro Fläche ist nebensächlich wenn der thermische Widerstand passt.

Der thermische Widerstand in K/W ist eine Funktion der Fläche. Auf welche Fläche bezieht sich also der R_th von 0,01K/W?
Hast du das SDB der Metallpaste gelesen?

Onra