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Mosfets als steuerbarer Widerstand Suche nach: widerstand (25637) |
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BID = 434861
neffbarz Gerade angekommen
Beiträge: 5 Wohnort: schwarzheide
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Tach auch,
ich möchte Mosfets als steuerbaren Widerstand benutzen. Die Leistung soll verbraten werden, also keine PWM. Ich wollte den "linearen" Bereich der Fets nutzen, indem ich einfach 10 V mit nem Poti als Spannungsteiler an Gate und Source hänge.
Am Drain hängen ca. 50 VDC und der Strom ist maximal 6 A.
Ich habe 4 IRFZ 44 parallel geschaltet und auf nen fetten Alukörper geklemmt.
soweit (so gut)
Nun fängt die Schaltung aber seltsam an zu schwingen. Im Steuerbereich zwischen Leerlauf und Kurzschluss höre ich es dann in meinen PC-Lautsprechern kreischen und mein DMM womit ich den Strom messe flimmert. ( ich hoffe nur ich habe Fernseh und Rundfunk nicht allzusehr gestört.
Ich habe es auch mit irgendwelchen Kondensatoren zwischen Drain und Source bzw. Gate und Source probiert in der Hoffnung die Schwingungen zu unterdrücken --> nix da.
Woher kommen diese Schwingungen?
Muss ich vielleicht doch was mit PWM, einem deftigen Widerstand und einer Spule machen?
Oder wie würde es auch gehen --> Transistor?
Wie baut man sonst eine elektronische Last?
Ich würde mich sehr über eure Hilfe freuen.
Auch Bauteilvorschläge/Dimensionierung wären fein |
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BID = 434865
wulf Schreibmaschine
Beiträge: 2246 Wohnort: Bozen
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hallo,
wie hast du denn den strom eingestellt?
wenn du dafür eine regelung aufgebaut hast, wird einfach nur der regler schwingen.
mfg wulf
_________________
Simon
IW3BWH |
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BID = 434891
neffbarz Gerade angekommen
Beiträge: 5 Wohnort: schwarzheide
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nee,
an der Stromquelle liegts sicher nich. Es handelt sich um PV-Zellen.
Es muss irgendein Effekt in den Mosis sein. Außerdem habe ich eine Hyserese, wenn ich von "auf nach zu" und von "zu nach auf" drehe.
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BID = 434895
perl Ehrenmitglied
Beiträge: 11110,1 Wohnort: Rheinbach
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Leg mal in die Gateleitung eines jeden einzelnen FETs einen Widerstand, bevor du die Leitungen zusammenführst. Möglichst nah am Transistor. 22..100 Ohm werden ok sein.
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Haftungsausschluß:
Bei obigem Beitrag handelt es sich um meine private Meinung.
Rechtsansprüche dürfen aus deren Anwendung nicht abgeleitet werden.
Besonders VDE0100; VDE0550/0551; VDE0700; VDE0711; VDE0860 beachten !
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BID = 434906
neffbarz Gerade angekommen
Beiträge: 5 Wohnort: schwarzheide
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ok, danke werd ich morgen mal probieren
kannst du noch kurz erläutern was das bewirken soll?
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BID = 434911
wulf Schreibmaschine
Beiträge: 2246 Wohnort: Bozen
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hallo,
der widerstand soll in verbindung mit der gatekapazität ein tiefpass sein, und hoffentlich die schwingungen unterdrücken.
mfg wulf
_________________
Simon
IW3BWH
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BID = 434939
perl Ehrenmitglied
Beiträge: 11110,1 Wohnort: Rheinbach
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Zitat :
| der widerstand soll in verbindung mit der gatekapazität ein tiefpass sein |
Nicht ganz.
Die Tiefpasseigenschaft ist sogar meist eher unerwünscht.
Hauptsächlich bedämpft dieser Serienwiderstand die Schwingkreise, die sich aus den Gatekapazitäten und den Induktivitäten der Zuleitungen bilden.
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BID = 434942
wulf Schreibmaschine
Beiträge: 2246 Wohnort: Bozen
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hallo,
ok, so tief hab ich das gar nicht durchdacht.
ich hab das nur so gedacht, weil ich meine mosfets (die ich als lastwiderstand ansteuere) meist in einem stark bedämpften regelkreis habe (PI-regler, glaub ich, habs aber nie komplett als regler mit der gängigen teorie durchgerechnet, sonder eher empirisch).
mfg wulf
_________________
Simon
IW3BWH
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BID = 434948
perl Ehrenmitglied
Beiträge: 11110,1 Wohnort: Rheinbach
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Die Regelschwingungen, die du dir durch diverse Zeitkonstanten in einer Schaltung mit Rückkopplung einhandeln kannst, sind ein anderer Spielplatz.
Die Fets können wegen ihrer grossen Steilheit auch ohne weitere Verstärker schwingen, und wenn sie das tun, liegt die Schwingfrequenz sehr viel höher als was der steuernde Opamp schafft.
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BID = 434952
wulf Schreibmaschine
Beiträge: 2246 Wohnort: Bozen
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ach so, verstehe. danke nochmal.
@ neffbarz:
ich stell mal hier den schaltplan meines letzten "stromreglers" rein. vielleicht hilfts dir ja (und perl darf ihn zerpflücken )
mich würde immer noch interessieren wie du den mosfet ansteuerst.
zu meinem schaltplan:
also wenn ich beim abzeichen keinen fehler gemacht habe, funktioniert diese schaltung so. die vielen tiefpässe sind da, weil das ganze gerät später in einer HF verseuchten (funkgerät) umgebung arbeiten muss.
zudem ist dies nur ein teilschaltplan, weil das ganze zu einem temperaturregler gehört (temperaturstabilisierter oszillator, TCXO).
der rest ist allerdings noch in entwicklung.
mfg wulf
_________________
Simon
IW3BWH
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BID = 434963
BlackLight Inventar
Beiträge: 5320
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Zitat :
wulf hat am 6 Jun 2007 19:26 geschrieben :
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mich würde immer noch interessieren wie du den mosfet ansteuerst. |
Blind?
Zitat :
neffbarz hat am 6 Jun 2007 13:51 geschrieben :
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... indem ich einfach 10 V mit nem Poti als Spannungsteiler an Gate und Source hänge. |
Oder liegt es an mir?
[ Diese Nachricht wurde geändert von: BlackLight am 6 Jun 2007 20:04 ]
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BID = 434982
wulf Schreibmaschine
Beiträge: 2246 Wohnort: Bozen
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au mann ... echt blind ... sorry dafür.
[selbstironie an]
wer lesen kann ...
[selbstironie aus]
mfg wulf
_________________
Simon
IW3BWH
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BID = 435048
neffbarz Gerade angekommen
Beiträge: 5 Wohnort: schwarzheide
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So, 47 Ohm Widerstände in die Gatezuleitung und nix schwingt mehr.
Das mit den Induktiven Zuleitungen und den Gatekapazitäten leuchtet auch ein, wenn man erstmal drauf gebracht wird.
danke pearl für den Tipp, es funzt.
@ wulf:
ja meine schaltung, wenn man das überhaupt als solche bezeichnen darf, is voll billig (ansteuern mit Poti), aber mir reicht das erstmal so.
danke für die Mühe.
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BID = 435049
wulf Schreibmaschine
Beiträge: 2246 Wohnort: Bozen
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hallo,
du solltest den strom immer im auge behalten, denn bei ändernder temperatur, ändert sich auch das verhalten vom mosfet. und wenn ich das datenblatt, das ich grade vor mir habe richtig interpretiere, nimmt mit steigender temperatur der kanalwiderstand vom mosfet (bei konstanter Vgs) ab!!
mfg wulf
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Simon
IW3BWH
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BID = 435099
neffbarz Gerade angekommen
Beiträge: 5 Wohnort: schwarzheide
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Zitat :
wulf hat am 7 Jun 2007 08:36 geschrieben :
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... nimmt mit steigender temperatur der kanalwiderstand vom mosfet (bei konstanter Vgs) ab!!
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Hab auch grad nochmal das Datenblatt gewälzt.
In Fig 3: "Typical Transfer Charakteristics" (Datenblatt von Intern. Rect.) gilt das für Gatespannungen unter ca. 5,7 V wenn ich das richtig verstehe. (Bild im Anhang)
Bei über ca. 5,7 V isses dann so wie ich gelernt habe --> Der Widerstand steigt mit steigender Temperatur.
Das hieße mit meiner Parallelschaltung der Mosfets ist das nicht so toll bei Ugs < 5,7 V. Dann hat irgendwann einer der Mosfets ziemlich viel zu tun wenn er wärmer und wärmer wird als die anderen.
Liege ich da richtig?
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