Akku mit hohen Impulsströmen entladen

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Autor
Akku mit hohen Impulsströmen entladen
Suche nach: akku (11363)

    







BID = 565970

P4CM4N

Gesprächig



Beiträge: 120
 

  


Hab hier nach bestem Gewissen mal was angefertigt.




Beim Transistor bin ich mir aber nicht sicher. Ich hab das jetzt so gemacht, dass das offene Ende vom Pfeil nach Plus zeigt, so wars in den Beispielen auch.


Zitat :


NPN-Transistoren werden für positive Spannungen verwendet. PNP-Transistoren werden für negative Spannungen verwendet.



Damit kann ich irgendwie nicht so richtig was anfangen.

[ Diese Nachricht wurde geändert von: P4CM4N am 20 Nov 2008 22:28 ]

BID = 565977

dl2jas

Inventar



Beiträge: 9914
Wohnort: Kreis Siegburg
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Das Schaltbild ist leider ganz großer Mist.

Was richtig eingezeichnet ist, sind die beiden Kondensatoren 100 nF und 47 µF.
Ich habe doch zuvor geschrieben, daß man den zweiten IRFP150 anstatt des Widerstands 0,047 Ohm nehmen kann. Du zeichnest jetzt sowohl als auch ein.

Der gesteuerte IRFP150 wird mit Drain an +Akku angeschlossen. Dann in Serie der IRFP150, der den Festwiderstand bilden soll. Dessen Source ist direkt mit GND verbunden, -Akku. Sein Gate ist mit den +10 Volt verbunden, der Betriebsspannung vom Spannungsregler.
Bitte Beiträge genau lesen und mitdenken, sonst verlieren wir hier die Lust.

DL2JAS

BID = 566004

P4CM4N

Gesprächig



Beiträge: 120

Ja, das hatte ich so nicht verstanden. Dann ist auch klar, warum der zweite MOSFET da runter muss, weil der ja die Spannung zwischen Source und Masse, also im Prinzip Ugs, reduzieren soll.

Oder liege ich da schon wieder verkehrt?




Also das mit dem Transistor scheint auch falsch zu sein. Weil die invertierte Spannung wird ja immer am Kollektor abgegriffen. Aber wo kriege ich denn die positive Spannung her, anstatt der negativen, damit ich das so drehn kann, dass ich die Spannung wieder vom Kollektor abgreife?



[ Diese Nachricht wurde geändert von: P4CM4N am 21 Nov 2008  0:01 ]

BID = 566134

Brenner

Gesprächig



Beiträge: 140
Wohnort: Hamburg

Ne, da liegst Du verkehrt.
Die Gatespannung vom oberen FET mußt Du sogar noch erhöhen.

Ins Datenblatt zum 7810 solltest Du auch schauen.
Dann Emitter-Grundschaltung und Grundlagen zu Z-Dioden anschauen und verstehen.

Ich helfe Dir ja gerne bei den Tücken der Schaltung, aber die wesentlichen Grundlagen zu den Bauteilen mußt Du dir schon aneignen. Wenn Du nicht selber raus bekommst, wie die Z-Diode zur Begrenzung der Gatespannung einzusetzten ist und auch verstehst warum, solltest Du die Schaltung hier erst mal auf Eis legen und mit einfachen Sachen anfangen.

Oft hilft es auch schon den Schaltplan ordentlich zu zeichnen um etwas Klarheit zu bekommen. Schau Dir mal ein paar einfache professionelle Schaltpläne mit einfacher Versorgungsspannung an. Vieleicht fallen Dir da ja ein paar Grundsätzte auf.

Nach dem Schaltplan kommt ja auch noch die richtige Bauteilwahl und der Aufbau. Bauteile haben z.B. alle eine Streuung oder ändern ihr Verhalten/Werte bei Erwärmung. Selbst Kabel zeigen bei 30A und schnellen Impulsen ihr Induktives Verhalten.....

Wenn ich es mir recht überlege, macht es eigentlich keinen wirklichen Sinn, den zweiten FET nur auf Sparflamme laufen zu lassen. Der kann genau so gut mir getaktet werden. Dann verteilt sich die Last besser und die Schutzfunktion ist trotzdem gegeben.

Gruß Holger

BID = 566135

P4CM4N

Gesprächig



Beiträge: 120

Hier ist das mit der Emitterschaltung nochmal geändert.

Da hat sich ein Fehler eingeschlichen, moment.


Ok, sieht aus als müsste ich den 7806 nehmen, weil ich hab ja keine 16V Eingangsspannung für den 7810.
Mit dem 7806 hätte ich dann nur 6V insgesamt. Das reicht doch dann aber wieder nicht als Gatespannung für den Mosfet. Gibts da besser geeignete Spannungsregler?


Das mit der Z-Diode sollte aber richtig sein. Sie wird in Sperrrichtung betrieben und Vorwiderstände gibts schon genug, also kann der Strom auch nicht zu groß werden. Nimmt man jetzt eine Diode, wie du sie vorgeschlagen hast P6KE6,8A, die bis max. 7,14V durch lässt.




[ Diese Nachricht wurde geändert von: P4CM4N am 21 Nov 2008 18:31 ]

BID = 566140

P4CM4N

Gesprächig



Beiträge: 120

..., dann sollte der Sicherungseffekt da sein.

Die Neuordnung des gesamten Schaltplans hatte ich mir auch schon vorgenommen. Ist echt unübersichtlich geworden.

BID = 566148

dl2jas

Inventar



Beiträge: 9914
Wohnort: Kreis Siegburg
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Langsam wird es halbwegs.

Es gibt Spannungsregler low drop, die mit einer minimal höheren Eingangsspannung zurechtkommen.

Du mußt die Zenerdiode so schalten, daß sie als Begrenzer wirkt. Sie soll ja im Fehlerfall die Spannung zwischen Gate und Source begrenzen. Das Ding kann aber wegfallen, wenn man die Widerstände im Spannungsteiler richtig wählt.

Du hast den fertigen Inverter verhackstückt, so funktioniert er nicht mehr. Der Spannungsteiler soll ja über den Transistor mit einer konstanten Spannung versorgt werden, deshalb kam ja der Spannungsregler dazu. Wo hast Du ihn angeschlossen?

Du hast ernsthaft Schwierigkeiten mit den Grundlagen. Schaue hier:
http://www.elektronik-kompendium.de/
Ich denke, da sind die Zusammenhänge leicht verständlich beschrieben.

DL2JAS

BID = 566170

P4CM4N

Gesprächig



Beiträge: 120

Hi,
hab hier nochmal was geändert. Den Inverter, wo ich mir jetzt ziemlich sicher bin, dass der so geht und dann hab ich noch einen low drop Spannungsregler raus gesucht.

Das einzige, wo ich noch nicht weiß, was das gebraucht hat war R4 aus ursprünglichen Schaltung. Wozu die 10V und die Steuerspannung verbinden?


Und ich weiß noch nicht, wie groß der Widerstand R6 sein muss.

Die Widerstände für den Spannungsregler müsste man doch einfach schon ziemlich präzise ausrechnen können.






Wenn ich jetzt den zweiten MOSFET auch noch mit steuern will, dann muss ich doch die Steuerspannung teilen, damit beide MOSFETs nur noch die Hälfte des Ursprunglichen einen Widerstandes haben richtig? D.h. ich müsste sie in Reihe schalten. Die Widerstände ebenfalls in Reihe, damit sich deren Widerstand addiert ich ich so wieder auf den Ursprünglichen Widerstand komme.

Nur wie kriege ich das dann Schaltungstechnisch hin? Ich kann ja nicht Gate vom zweiten MOSFET an Source vom ersten hängen.

[ Diese Nachricht wurde geändert von: P4CM4N am 21 Nov 2008 20:58 ]

BID = 566178

dl2jas

Inventar



Beiträge: 9914
Wohnort: Kreis Siegburg
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R6 muß 0 Ohm haben.

Die Schaltung ist Blödsinn mit einem NPN-Transistor, wenn sie invertieren soll. Ich habe doch schon die fertige Schaltung geliefert, warum verschlimmbasteltst Du sie?
Bei 10 Volt Betriebsspannung bekommst Du jetzt einen Einstellbereich von 3,3 bis 6,6 Volt, meine ursprüngliche Schaltung.

DL2JAS

BID = 566182

dl2jas

Inventar



Beiträge: 9914
Wohnort: Kreis Siegburg
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Bleibe bei der Schaltung mit den MOSFETs.

Der untere MOSFET wird lediglich als Ersatz für den Widerstand benutzt. Sollen beide MOSFETs gesteuert werden, wird es nur unnötig kompliziert.

DL2JAS

BID = 566185

P4CM4N

Gesprächig



Beiträge: 120


Zitat :
dl2jas hat am 21 Nov 2008 21:03 geschrieben :

R6 muß 0 Ohm haben.


Die Schaltung ist Blödsinn mit einem NPN-Transistor, wenn sie invertieren soll. Ich habe doch schon die fertige Schaltung geliefert, warum verschlimmbasteltst Du sie?
Bei 10 Volt Betriebsspannung bekommst Du jetzt einen Einstellbereich von 3,3 bis 6,6 Volt, meine ursprüngliche Schaltung.

DL2JAS


Brenner sagte ein paar Posts vorher, dass PNP Transistoren ein schlechteres Abschaltverhalten hätten als NPN Transistoren. Aber wenn der PNP auch geht, dann soll der natürlich bleiben.


Zu dem mit dem zweiten MOSFET: Könnte man nicht auch die Spannung noch weiter runter regeln, sodass die MOSFETS beide 1,65 - 3,3V kriegen und dann beide MOSFETS parallel dran? Dann ist der Widerstand gleich, aber dafür auf 2 MOSFETs verteilt. Die Widerstände würden sich addieren, weil sie in Reihe zu den Akkus sind, sodass man insgesamt wieder bei dem ursprünglichen Widerstand wäre, die Last jetzt allerdings verteilt ist.

BID = 566192

dl2jas

Inventar



Beiträge: 9914
Wohnort: Kreis Siegburg
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Willst Du alles kompliziert machen?

Wenn die MOSFETs vernünftig mit dem Kühlkörper verbunden sind, ist doch Sicherheitsreserve vorhanden. Du verschenkst sonst wieder den Vorteil mit dem gegenkoppelnden Widerstand. Die Funktion habe ich doch erklärt. Wofür schreibe ich hier und überlege mir praxistaugliche Lösungen in meiner Freizeit?
Brenner hat recht, daß NPN meist schneller ist als PNP. Wir sind hier aber im Bereich kHz, nicht MHz oder GHz. Mit NPN ist ein ganz anderes Schaltungskonzept für den Inverter erforderlich. Man kann nicht einfach PNP gegen NPN tauschen, die werden ganz anders angesteuert. Hier siehst Du eine von mir gebaute und gemessene Hochfrequenzschaltung, wo man sehr wohl auf die Schnelligkeit achten muß. Sie ist auch mit einem universal Kleinsignaltransistor aufgebaut:
http://www.dl2jas.com/selbstbau/linamp/linamp.html

BID = 566203

P4CM4N

Gesprächig



Beiträge: 120

Wenn das in diesem Frequenzbereich unerheblich ist, dann ist gut. Für eure Hilfe bin auch überaus dankbar, ohne euch wäre ich sicher nicht so weit. Da wäre was wahrscheinlich schon viel früher gescheitert oder mir wären die Bauteile um die Ohren geflogen.
Also ein RIESEN Lob für eure Hilfe

Der Schaltplan im Anhang ist der derzeitig Stand der Dinge.

Habt ihr nen guten Link von nem Shop, wo ich alle Teile finde kann. Bis jetzt hab ich Shops gefunden, die hatten zwar den NE555, den IRFP150 usw. , aber dafür z.B. kein L4951.

Bsp: http://dkc1.digikey.com/DE/DE/MKT/Sitemap.html
http://www.darisusgmbh.de/shop/index.php

Allgemein scheint es schwierig, einen L4951 zu kriegen. Gibts da eine Alternative?



BID = 566204

Brenner

Gesprächig



Beiträge: 140
Wohnort: Hamburg

Ohhhh neinnnn...
Die Aussage zum NPN/PNP hab ich so gar nicht gesagt.
Ich habe eine andere schnellere Schaltungsvariante mit NPN-Transistor vorgeschlagen und nicht in der von dl2jas den PNP gegen einen NPN tauschen.
Du hast damit aus der Emitterschaltung mal eben eine Collektorschaltung gemacht. Ohne Grundlagen geht es nun mal nicht.

Bleib lieber bei dem Vorschlag von dl2jas mit dem PNP, das geht auch.
Alles andere verwirrt nur. Viele Wege führen nach Rom...
Und laß den 2ten FET im Statischen Zustand bei 10V. Ist einfacher für Dich und Reserve ist genug da.

Gruß Holger

BID = 566207

P4CM4N

Gesprächig



Beiträge: 120

Hi,

Ja, ich hab auch nicht gesagt, dass du gesagt hast man könnte den einfach austauschen

Gruß Marco

PS: Wenn das andere so auch geht, dann ist ja gut.

[ Diese Nachricht wurde geändert von: P4CM4N am 21 Nov 2008 22:37 ]


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