Wissenschaftler an der Universität von Illinois haben einen heterobipolaren Transistor mit einer maximalen Betriebsfrequenz von 509 GHz entwickelt. Walid Hafez, Jie-Wai Lei und Milton Feng überrundeten sich mit diesem Erfolg selbst: Im Januar 2003 hatten sie bereits einen ähnlichen Transistor vorgelegt, der 382 GHz erreichte.

Anders als bei planaren CMOS-Transistoren auf Siliziumsubstrat ist der Transistor auf der Basis von Indiumphosphid und Indiumgalliumarsenid vertikal aufgebaut. Die Gate-Elektrode ist durch eine so genannte Mikro-Brücke mit dem restlichen Transistor verbunden, um parasitäre Kapazitäten zu minimieren. Durch weitere Skalierung wollen die Forscher die Terahertz-Grenze durchbrechen.

Quelle : Heise


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