Hallo,

mich interesiert der IGB-Transistor habeauch schon einiges darüber erfahren.

aber ich wollte hier einfach mal fragen ob mir einer mal die vor- und nachteile dieses Transistors gegenüber dem Bipolaren un dem MosFET transitor mitteilen kann.
oder ob hier jemand eine gute inet seite weiss wo ich mich schlau lesen kann.

danke im vorraus.

St3f4n

IGBTs sind Bauteile für die Leistungselektronik, MOSFETs gibt es auch für kleine und kleinste Leistungen.

Als Ersatzschaltbild für einen IGBT kannst Du einen bipolar-Transistor annehmen, bei dem zwischen Basis und Kollektor ein MOSFET sitzt.

Die für die praktische Verwendung hauptsächlichen Unterschiede sind:

Restspannung nahe 0 ist mit IGBT nicht machbar, wohl aber mit MOSFETs. Durch die Restspannung wird bei niedrigen Betriebsspannungen der Wirkungsgrad verschlechtert. Deshalb ist das Schalten von niedrigen Spannungen eine MOSFET-Domäne.

IGBT kann bei gleicher Chipfläche höhere Leistungen schalten, daher preisgünstiger.

MOSFET schaltet sehr viel schneller als ein IGBT. Dadurch können kleinere Trafos verwendet werden.


Weitere Erklärungen und Anwendungsbeispiele, insbesondere die Diskussion der jeweiligen Vor- und Nachteile für eine bestimmte Anwendung, findest Du bei fast jedem Hersteller von IGBTs.



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Haftungsausschluß:



Bei obigem Beitrag handelt es sich um meine private Meinung.



Rechtsansprüche dürfen aus deren Anwendung nicht abgeleitet werden.



Besonders VDE0100; VDE0550/0551; VDE0700; VDE0711; VDE0860 beachten !

danke für die recht kurze aber doch sehr hilfreiche beschreibung.

hast du nicht vieleicht noch ne inet seite wo ich mehr darüber erfahren kann?

danke im vorraus st3f4n