Kleinleistungs-MOSFET und ältere Leistungsfet haben einen horizontalen Aufbau, da musste der Bulk mit einer Sperrschicht isoliert werden. Leistungstypen dieser Bauart haben dann durch die Verbindung Substrat-Source bedingt, als böse Falle den Source-Anschluß am Gehäuse.
Beispiel: http://pdf1.alldatasheet.com/datash......html

Modernere Leistungsfet haben einen vertikalen Aufbau, Source obenliegend.
Dadurch kann das Substrat mit gleicher Polarität wie der Drainbereich dotiert werden. Der Sourceanschluß überlappt 2 verschieden dotierte Bereiche, dadurch werden der Basis- und der Emitteranschluß eines parasitären Bipolartransistors kurzgeschlossen, übrig bleibt die Bodydiode von C nach EB.
Siehe: http://www.irf.com/technical-info/appnotes/mosfet.pdf

Onra