Wäre es dann evtl möglich ein Bit von einem "8 Bit Speicherblock" zu verwenden, denn ich weis nicht ob das mit der Ansteuerung funktioniert (ich möchte den Zustand einer LED speichern ein/aus)?

Danke

Zitat :

8 Bit Speicherblock

Zitat :

den Zustand einer LED speichern

Was gibt es da zu speichern?
Wenn ein dann ein, wenn aus dann aus.

Erkläre das mal genauer.




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Theoretisch gibt es zwischen Theorie und Praxis keinen Unterschied. Praktisch gibt es ihn aber.

Mir sind auch noch keine einzelnen Speichertransistoren über den Weg gelaufen, und wenn dann wären das wohl sehr delikate Teile, vergleichbar mit den MOSFETs der ersten Generation, die mit Kurzschlußfedern um die Beinchen geliefert wurden.

Diese Kurzschlüsse durfte man erst entfernen, wenn der Transistor in der fertigen Schaltung eingelötet war, sonst genügte es den Transitor scheel anzusehen um einen Durchbruch des Gate-Oxids zu provozieren. Dann war der Gegenwert eines Abendessens im Gasthaus i.A.

Nun ich hatte mir gedacht, dass ich den Floating Gate Transistor, einen weiteren Transistor (zur Verstärkung) und eine LED in eine Schaltung baue. Zur Demonstration wollte ich den Floating Gate Transistor beschreiben, also Ladung im Floating Gate speichern --> LED ist aus, logisch 0.
Weiterhin hätte ich das Gate auch einmal unbeschrieben gelassen
--> LED ist an, logisch 1
Nach den obigen Versuchen hätte ich die Schaltung vom Strom getrennt und dann wieder verbunden um zu beweisen, dass der jeweilige Zustand gespeichert bleibt.
Da es diese Transistoren jedoch nicht einzeln gibt hatte ich mir überlegt, einen integrierten Schaltkreis zu verwenden, mit 8 Bit Speicher. Meiner Meinung nach müsste es solche ja geben. Ich weis jedoch nicht, ob das mit der Ansteuerung dann so einfach ist.

Das kannst du auch mit jedem anderen MOSFET machen. Wenn du einmal eine Ladung auf das Gate bringst, hält er die sehr lange.
Du kannst ihn dann auch wieder ins Regal legen, ein paar Minuten später wieder raus holen, in die Schaltung setzen und die LED leuchtet wieder.

Edit:
VORAUSGESETZT natürlich, du berüherst das Gate nicht. Dann ist die Ladung nämlich sofort wieder futsch und der Transisotor gesperrt.




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Theoretisch gibt es zwischen Theorie und Praxis keinen Unterschied. Praktisch gibt es ihn aber.

[ Diese Nachricht wurde geändert von: Offroad GTI am 13 Dez 2012 20:55 ]

Das wäre eine Möglichkeit, jedoch schreibe ich eine Facharbeit über SSDs, in welchen ja die Floating Gate Transistoren verbaut sind. Somit sollte ich auch solche verwenden. Würde das mit dem integrierten Schaltkreis funktionieren?

Zitat :

Würde das mit dem integrierten Schaltkreis funktionieren?

Natürlich. Diese Dinger gibt es zu Hauf, sie nennen sie EPROMs, EAROMs, FLASH usw.

Das Bemühen des Begriffs "Integrierte Schaltung" löst aber nicht das eigentliche Problem: Einzeln gibt es solche Transistoren nicht zu kaufen, und damit sie im IC funktionieren, sind regelmäßig noch Pegelwandler und Ausleseverstärker beteiligt, und man kann nur über diese auf eine Speicherzelle zugreifen.

Jeder Mosfet
hat ein "floating" gate, wenn du es entspechend
isolierst.
Also dein Modell wäre ein Mosfet, am Gate nur ein
kleiner Kondensator angeschlossen, etwa die selbe
Kapazität wie sie das Gate hat.
(Den mußt du evtl selbst anfertigen, so kleine
Kondensatoren gibt es möglicherweise nicht zu kaufen)
Alles gut isolieren mit einem Lack, damit statische
Ladungen möglichst wenig Späße verursachen.
Aber : Haben heutige Mosfets nicht regelmäßig
Schutzbeschaltung am Gate?


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Dimmen ist für die Dummen

Zitat :

Haben heutige Mosfets nicht regelmäßig Schutzbeschaltung am Gate?

Hätte ich auch gedacht.
Fakt ist aber, dass es wie oben beschrieben mit einem stino n-Kanal MOSFET (und ohne zusätzlichen Kondensator) wunderbar funktioniert.

Da sich auf meinem Arbeitsplatz auch noch ein IGBT getummelt hat, habe ich es an dem (mit einer 55W Halogenlampe) auch noch mal getestet. Funktioniert ebenfalls bestens.




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Theoretisch gibt es zwischen Theorie und Praxis keinen Unterschied. Praktisch gibt es ihn aber.

Zitat :

Das kannst du auch mit jedem anderen MOSFET machen.

Eben nicht!
Was du da beschreibst, ergibt die Speicherzelle eines DRAMS.
Ein Floating Gate hat tatsächlich keinen Anschluß und wird über diverse Tunneleffekte geladen und entladen.

Zitat :

Eben nicht!

Ich meinte auch nicht, einen Floating-Gate Transistor zu imitieren, sondern einfach einen MOSFET als Zustandsspeicher einzusetzen.




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Theoretisch gibt es zwischen Theorie und Praxis keinen Unterschied. Praktisch gibt es ihn aber.

Danke für die vielen Antworten, ich wünsche euch ein frohes Wheinachtsfest.