Gefunden für ir2110 mosfet - Zum Elektronik Forum |
| 1 - Stufenlose PWM und Motor Schutzschaltung -- Stufenlose PWM und Motor Schutzschaltung | |||
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| 2 - Generator mit extremer Flankensteilheit in diskreter Transistorschaltung gesucht -- Generator mit extremer Flankensteilheit in diskreter Transistorschaltung gesucht | |||
Zitat : Harald73 hat am 18 Feb 2011 23:42 geschrieben : http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2110.pdf , Figure 2 Ich verstehe die Schaltung nicht so recht, welche Rolle spielt der IRF820 in der Schaltung? Offensichtlich wird der von einem externen OP angesteuert und nicht vom IR2110. Die Daten sind richtig gut, mit 175V wird die Flankensteilheit sogar unter ungünstigsten Bedingungen erreicht. Kann ich nicht die "Typical Connection" ohne den unteren MOSFET einsetzen, wobei ich nur den oberen MOSFET gegen Masse schalte? Gruß Quarzsnoopy [ Diese Nachricht wurde geändert von: Quarzsnoopy am 19 Feb 2011 0:24 ]... | |||
3 - PWM mit MOSFET und Microcontroller -- PWM mit MOSFET und Microcontroller | |||
Zitat : und die bezogen auf seinen Source Pin, der ja dann an +12V hängt!!! Falls du die Schaltung nicht umdesignen kannst so dass der high-side-switch unnötig ist, empfiehlt sich ein passender Gatetreiberbaustein für n-Kanal-MOSFETs, wie z.b einen IR2110. Der sorgt per Bootstrapschaltung dafür dass du dein Gate auf 12-20V über Source laden kannst, egal wo sich dessen Potential gerade befindet. Zudem enthält er einen Levelshifter so dass du mit 5V ansteuern kannst. Was auch noch praktisch ist ist der hohe Strom den du damit ins Gate bekommst. Mit einem LL-FET direkt ab einem Microcontroller getrieben baust du eigentlich immer eine Elektroheizung da die Schaltgeschwindigkeiten zum Einschlafen sind. Sowas mache ich nur wenn der FET hoffnungslos überdimensioniert ist und die Schaltgeschwindigkeit irrelevant ist. Die "Leistungslose" Ansteuerung eines Leistungs-MOSFETs ist ein Trugschluss, du musst hunderte mA bis einige A liefern (für Submikrosekunden) um ihn... |
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