Ausserdem wird gewöhnlich mit kurzen Impulsen gemessen, damit die Erwärmung vernachlässigbar bleibt. Du brauchst also mindestens auch einen sehr induktionsarmen Aufbau und schnelle Differenztastköpfe.

Bedenke:
1cm Draht hat eine Induktivität von etwa 10nH.
Bei einem Stromimpuls, der in 50ns von 0 auf 10A ansteigt, bewirkt dieses kurze Stückchen Draht schon einen induktiven Spannungsabfall von 2V!

Vielleicht überlegst du dir das mit dem Selbermessen noch einmal.

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Haftungsausschluß:



Bei obigem Beitrag handelt es sich um meine private Meinung.



Rechtsansprüche dürfen aus deren Anwendung nicht abgeleitet werden.



Besonders VDE0100; VDE0550/0551; VDE0700; VDE0711; VDE0860 beachten !

Pearl, Du denkst vermutlich wieder zu weit!

Rambodischien, es geht mit einfachen Mitteln.
R_DS ist praktisch unabhängig vom Strom. R_DS wird hauptsächlich von der anliegenden Gatespannung bestimmt. Das ist ähnlich wie beim Transistor, dem Basisstrom.
Baue einen einfachen Spannungsteiler auf. Ein Widerstand ist der MOSFET, DUT (device under test). Dann kommt ein Festwiderstand zwischen U+ und Drain. Jetzt kannst Du die Spannungsabfälle messen und mit U=RxI umrechnen.
Kleines Beispiel:
Der Festwiderstand habe 1 Ohm. Der MOSFET habe 0,1 Ohm. Der Spannungsteiler hat somit 1,1 Ohm. Jetzt den Spannungsteiler berechnen.

DL2JAS

Vielen Dank

Ich weiß nicht warum ich das nicht selber herausgefunden habe



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Mfg Rambodischien