MOSFETs Gatestrom
Im Unterforum Bauteile - Beschreibung: Vergleichstypen, Leistungsdaten, Anschlußbelegungen .....
| Autor |
|
|
|
BID = 346741
rt_velt
Neu hier
Beiträge: 28
|
|
Hallo!
Habe ein paar Fragen bzgl. Gate"strom" bzw. Gate-Charge eines MOSFETs. FET-Typ sei nun egal.
Laut Datenblatt habe ich zB bei 12V Gate to Source ein "Total Gate Charge" von 38nC.
Dann gibt es noch "Gate to Drain Charge" und "Gate to Source Charge"; was ist das?
Bei einer Schaltfrequenz von 33kHz muss das FET 33k-mal pro Sekunde geladen und entladen werden.
Somit geben sich 66.000 Umladungen pro Sekunde.
Ampere ist mit Coulomb pro Sekunde definiert.
Stimmt daher die folgende Rechnung:
Gatestrom Ig = 66*10^3 * 38*10^-9 = 2,5mA
Es sollten also 2,5mA Gate"strom" fließen.
Ist das richtig oder muss ich die anderen GateChage angeben auch berücksichtigen?
Bei der Messung MIT TrueRMS kamen nämlich 6,3mA heraus.
Ist das ein Messfehler oder ein Rechenfehler?
Danke im Voraus,
rt_velt |
|
BID = 346764
perl
Ehrenmitglied
Beiträge: 11110,1
Wohnort: Rheinbach
|
|
Zitat :
| | Es sollten also 2,5mA Gate"strom" fließen. |
Ich will das jetzt nicht nachrechnen, aber in der Praxis brauchst du eher Spitzen-Steuerströme im Ampere-Bereich.
Der Grund liegt darin, daß i.d.R. diese Kapazitäten sehr schnell umgeladen werden müssen, damit der Transistor möglichst kurz im linearen Übergangsbereich verweilt, in welchen gleichzeitig hoher Strom und hohe Spannung anliegt, und der also für die Umschaltverluste verantwortlich ist.
_________________
Haftungsausschluß:
Bei obigem Beitrag handelt es sich um meine private Meinung.
Rechtsansprüche dürfen aus deren Anwendung nicht abgeleitet werden.
Besonders VDE0100; VDE0550/0551; VDE0700; VDE0711; VDE0860 beachten ! |
|
BID = 346772
rt_velt
Neu hier
Beiträge: 28
|
hmmm...
dann werde ich meinen vorherigen post editieren:
Es sollten im Mittel 2,5mA Gate"strom" fließen 
|
BID = 346777
perl
Ehrenmitglied
Beiträge: 11110,1
Wohnort: Rheinbach
|
Das kommt darauf an, welches Mittel du meinst.
Der arithmetische Mittelwert ist Null, da das Gate ja isoliert.
Der Effektivwert ist, wegen der Mittelung über die Quadrate der Momentanwerte, größer als Null und von der Form der Stromkurve abhängig.
_________________
Haftungsausschluß:
Bei obigem Beitrag handelt es sich um meine private Meinung.
Rechtsansprüche dürfen aus deren Anwendung nicht abgeleitet werden.
Besonders VDE0100; VDE0550/0551; VDE0700; VDE0711; VDE0860 beachten !
|
BID = 346793
Onra
Schreibmaschine
Beiträge: 2485
|
Hallo,
die Schaltfrequenz von 33kHz ist nicht entscheidend für den Gatestrom, sondern deren Schaltflanken. Diese bewegen sich im Nano- und Mikrosekundenbereich, wodurch die von perl angegebenen hohen Ströme entstehen.
In der AN786 von Microchip oder der AN944 von IR ist es z.B. erklärt.
O.
|
BID = 347092
rt_velt
Neu hier
Beiträge: 28
|
Hallo!
Danke für die Datenblätter!
Waren sehr Hilfreich.
Es fließen also auch beim Entladen die gleichen Ladungsmengen; nur halt in die andere Richtung.
Und es (der Mittelwert des Stromflusses) hat schon etwas mit der Schaltfrequenz zu tun. Je höher die Frequenz, desto öfter müssen die Ladungsträger hin- und hertransportiert werden.
Bei I = Q / t muss also ein höherer Strom herauskommen.
lg,
rt_velt
|
|
Zum Ersatzteileshop
Bezeichnungen von Produkten, Abbildungen und Logos , die in diesem Forum oder im Shop verwendet werden, sind Eigentum des entsprechenden Herstellers oder Besitzers. Diese dienen lediglich zur Identifikation!
Impressum
Datenschutz
Copyright © Baldur Brock Fernsehtechnik und Versand Ersatzteile in Heilbronn Deutschland
gerechnet auf die letzten 30 Tage haben wir 18 Beiträge im Durchschnitt pro Tag heute wurden bisher 33 Beiträge verfasst
© x sparkkelsputz Besucher : 182102898 Heute : 5181 Gestern : 6149 Online : 510 30.9.2024 21:21
7 Besucher in den letzten 60 Sekunden alle 8.57 Sekunden ein neuer Besucher ---- logout ----viewtopic ---- logout ----
|
xcvb
ycvb
0.0261220932007
|
