ID / IDSS bei JFET, Verständnisfrage (MMBFJ201)

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ID / IDSS bei JFET, Verständnisfrage (MMBFJ201)

    







BID = 706102

SilentWarrior

Gerade angekommen


Beiträge: 1
Wohnort: Stuttagrt
 

  


Hi,

habe ein kleines Problem mit dem Verständnis von ID und IDSS des JFET bzw. finde das Datenblatt verwirrend.

Ich beziehe mich auf folgendes Datenblatt:
http://www.fairchildsemi.com/ds/MM/MMBFJ201.pdf

Bisher habe ich es so verstanden, dass IDSS der Strom ist, der maximal von Drain nach Source fließen kann (im Fall des JFET auch anders herum). Dieser Strom stellt sich bei einer bestimmten Spannung UDS ein und steigt dann auch nicht mehr, wenn UDS erhöht wird, so zu sagen eine Konstantstromquelle, ab Erreichen der bestimmten UDS.
D.h. ID kann eigentlich nicht höher werden als IDSS, wenn ich das richtig verstehe.

Jetzt habe ich aber im Datenblatt auf Seite zwei beim 201 einen IDSS von 0,2 bis 1 mA. Im Diagramm auf der nächsten Seite rechts oben (Common Drain-Source) allerdings hätte ich einen Strom ID von ca. 22,5 mA bei UGS = 0V und UDS = 5V.

Verstehe ich hier nun etwas nicht richtig oder ist das Diagramm im Datenblatt falsch ?

Welcher Strom kann denn nun bei UGS = 0V durch den JFET fließen ?


Danke

BID = 706195

Onra

Schreibmaschine



Beiträge: 2484

 

  

Hallo und willkommen im Forum.

Die Transistoren enstammen der gleichen Fertigungslinie. Die Exemplarstreuungen sind so groß, dass eine anschließende Sortierung erfolgen muß.
Manche Hersteller vergeben Buchstaben oder Ziffern zusätzlich zur Bezeichnung (z.B. BF245A, B und C).
Fairchild bzw. der erste Hersteller dieses FET hat gleich neue Nummern vergeben. Die von dir angesprochene Kurvenschar lässt eindeutig auf den 203 schliessen.
Im 2. Bild auf der linken Seite (Transfer Characteristics) siehst du 2 Kurvenscharen nach VGS(Off) sortiert.
Die obere gehört zum 203 und die untere zum 202, der 201 ist dort nicht extra aufgeführt, aus welchen Gründen auch immer.
Der IDss wird als Strom bei Kurzschluß zwischen Gate und Source gemessen, deshalb hört die Grafik auch bei 0 Volt VGS auf. Der Bereich bis zum Leitendwerden der Gate-Source-Diode sollte nicht genutzt werden, eine leichte Erhöhung ist hier aber noch drin.

Onra

[ Diese Nachricht wurde geändert von: Onra am  6 Aug 2010 20:28 ]


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