Hallo Peter

einen größeren 12V Motor.

Vorteile von Thyristor?

Gruß ASG

Bevor ich es vergesse, das ganze wird PWM gesteuert.

hallo,
ich würde mosfets nehmen (n-kanal). damit muss aber masseseitig geschaltet werden.
wenn man davon ausgeht, dass ein TO-220 gehäuse (junction to ambient) ca 60°C/W hat, dann würde ich niemals mehr als einen watt verbraten, ist aber auch schon sehr viel. als richtwert einfach maximal 0,5 W nehmen. das bedeutet dann, dass bei einem widerstand von 20mOhm dieser halbe watt verbraten wird.
somit darf dein mosfet einen Rdson von maximal 20mOhm haben. je weniger um so besser.

mfg wulf

p.s.: ich bin davon ausgegangen, dass es KeINE PWM ist, wo häufig geschaltet wird. sollte es doch eine PWM sein (oder was anderes mit ständigen schaltzyklen), muss man die schaltverluste noch berücksichtigen.

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Simon
IW3BWH

hallo,
als ich das gesehen hab, stand von PWM noch nix.

also, dann musst du die dynamischen verluste noch mitberechnen. hier: http://www.sprut.de unter schaltregler, ist alles recht gut beschrieben.

mfg wulf


edit: ein kleines kühlblech ist doch sicher machbar ... und wenns nur eine kleine kühlfahne ist; das macht schon einiges aus.

[ Diese Nachricht wurde geändert von: wulf am 25 Jan 2007 22:36 ]

Beim Bipolaren kommst du einfach nicht unter etwa 1W Verlust pro Ampere.

Wenn schon kein Kühlkörper geht, kann man das Bauteil nicht am Metallchassis kühlen, wenn es denn eines gibt?

Zitat : asg1976 hat am 25 Jan 2007 21:54 geschrieben :

Mein Problem ist nur im bereich des leistungsteils kann Ich keine kühlkörper aus platzgründen montieren.

Schau Dir mal Fahrtregler aus dem Modellbau an. Die haben das gleiche Problem. Kein Platz, viele Amperes und PWM. Hier und da findet man im Internet auch Selbstbauanleitungen.

Gruß,
Ltof

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„Schreibe nichts der Böswilligkeit zu, was durch Dummheit hinreichend erklärbar ist.“
(Hanlon’s Razor)

[ Diese Nachricht wurde geändert von: Ltof am 26 Jan 2007 10:07 ]

Das wichtigste zur Wärmeverminderung bei einem PWM-geschalteten Mosfet ist dass er hart geschaltet wird, d.h. du musst einen ordentichen Gatetreiber haben der das Ding in richtig schnell ein und ausschaltet. Dann bleibt er schön kühl.

Bei einem Motortreiber den ich gebaut habe sind auch ungekühlte FETs verbaut, die werden bei 5A und 70 kHz PWM gerade mal ein bisschen warm.

Wenn du keine induktive Last hast musst du allerdings aufpassen damit nicht einen groben Störsender zu basteln.

[ Diese Nachricht wurde geändert von: photonic am 26 Jan 2007 23:10 ]

> Wenn du keine induktive Last hast musst du allerdings
> aufpassen damit nicht einen groben Störsender zu basteln.

Schöner währe es, wenn man es als Schaltnetzteil auslegen
könnte. Dann hat man die PWM nicht mehr so stark in der
Motorzuleitung.

@wulf
> ich würde mosfets nehmen (n-kanal). ..
> wenn man davon ausgeht, dass ein TO-220 gehäuse (junction
> to ambient) ca 60°C/W hat, ..

Bei MOSFETs heißt es Kanal.

> Before we get too far into this subject, let's discuss the
> difference between vertical and horizontal semiconductors.
> HBTs and PIN diodes are vertical structures, each of the
> regions are grown in layers using some type of epitaxy.
> FETs of all kinds are horizontal structures. When we talk
> about vertical structures, where the "magic" takes place
> is referred to as the junction. For horizontal transistors
> (FETs) it's called the channel. So don't talk about the
> "junction temperature" of a PHEMT, or you will sound like
> an idiot!
http://www.microwaves101.com/encyclopedia/MMICsemi.cfm

MfG
Holger

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George Orwell 1984 ist nichts gegen heute.
Der Überwachungsstaat ist schon da!

Leider lernen die Menschen nicht aus der Geschichte,
ansonsten würde sie sich nicht andauernd wiederholen.

hallo,
wie auch immer das heisst, im datenblatt vom IRF840 (hersteller IR) steht "junction to ambient" ...
dass es im mosfet ein kanal ist wusste ich schon ... hab aber aus dem datenblatt abgeschrieben

mfg wulf

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Simon
IW3BWH

Hallo high_speed,
das ist ein bisschen Schwarz-Weiss-Malerei.
MosFET besitzen sehr wohl Sperrschichten und gerade moderne Leistungstypen sind vertikal angeordnet. PHEMT sind ein ganz anderes Paar Schuhe.
Bei gesperrtem Enhancement PwrFET ist der Kanal 0. Wohin verschwindet die Temperatur? .
Da sich hier kein 2. Durchbruch ausbildet, dürfte die Chiptemperatur wesentlich aussagekräftiger sein wegen der gleichmäßigeren Verteilung im Kristall.
Gemessen wird wohl bei BJT und FET am gleichen von aussen zugänglichen Ort und eben aus historischen (?) Gründen weiterhin für alle Halbleiter-BE als T_J bezeichnet.
O.