Hallo Fernsehpedda!
Nun schreibe ich es zum dritten mal, die ersten zwei Antworten sind nach den anklicken des Batten "vorschau" rausgeflogen. Ich hoffe das es dieses mal klappt. Ich hab mich über Deine Antwort sehr gefreut!
Wie ich glaube zu wissen kann man einen Fet nicht so mit dem Multimeter messen, da ist doch zwischen Source und Drain eine Z-Dioden drinn, oder ?Leider hab ich auch keinen neuen Fet denke aber das er IO ist und der Fehler wo anders liegt.Einen Schaltplan habe ich immer noch nicht , trotz suche in Internet.
würde mich über viele gute antworten freuen!!
Mit freundlichen Grüssen
Funkhans !

Natürlich kann man solche selbstsperrenen MOSFET mit dem DMM messen. Zumnidest kann man den wohl aussagekräftigsten Test für diese Situation messen; ob die DS-Strecke bei GS=0V sperrt.
Die 800V Avalanche Diode Parallel zu DS wirst du mit einem DMM im Diodenmessbereich kaum triggern, höchstens wenn du DS falsch herum vorspannst misst du die Vorwärtsspannung der Diode, aber dann hast du das Messgerät falsch herum eingesetzt und das liegt an dir nicht am MOSFET.
Also: wenn du G mit S kurzschließst sollte die DS-Strecke, in der richtigen Richtung gemessen, sperren. Diesen Sperrtest kannst du immer durchführen.
Der für deinen Fall weniger wichtige Leittest geht möglicherweise auch noch ohne Hilfsspannungsquelle, indem du die GS Strecke mit der Messpannung des DMM vorspannst.

Es wundert mich, dass jemand der einen Trenntrafo besitzt so chaotisch an die Sache herangeht. Selbst wenn ich aus welchen Gründen auch immer mein Messgerät nicht in die Nähe des MOSFET bringen will, bräuchte ich nur am eingelöteten MOSFET das Gate hochlegen und mit S verbinden und dann ist sofort klar, ob der hin ist oder nicht. Dazu brauche ich den nichtmal ausbauen. IUnd weil die SMPS MOSFET meist einen Widerstand zwischen TDA und ihrem Gate haben ist das Hochlegen des Gate auch nur eine Sache von Sekunden.
Wie gesagt; teures Equipment ersetzt kein Grundlagenwissen.