Das ist wieder mal Unfug, den der Transistor fängt erst an zu leiten, wenn die an der Basis mindestens 620mV liegen, bei höhren Strömen auch mehr.
Das bringt gegenüber einer normalen Diode also keinen Vorteil.

Du kannst aber eine Schottky-Diode verwenden. Deren Durchlaßspannung ist etwa halb so hoch wie bei einer normalen Sperrschichtdiode. Wenn du sie kräftig überdimensionierst, kannst du noch ein paar mV herausschinden.

Wenn der Spannungsabfall noch geringer sein muß, helfen andere Schaltungen, aber dazu müßte man mehr über das Problem wissen.


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hallo perl
erst denken die basis ist mit dem kolektor verbunden und im emmitterkreis liegt die last wie gross ist dann Ube im einschaltmoment ?und wie groß wird die wenn der transistor voll durchsteurt?
und das tut der mit 1000% sicherheit !!!
transistoren sind nun mal keine 2 dioden in einem gehäuse, und die b-e strecke ist im volldurchgesteurtem zustand mit ladungsträgern überschwemmt, daher wird auch eine geringere basisvorspannung benötigt um diesen zustand aufrechtzuerhalten (transistorn im schaltrbtrib werden mit einem mehrfachen des sonst üblichen basisstrom versorgt eben um den in die sättigung zu treiben
gruß bernddi

Danke für die Antworten.

Habe gleich mal bei Infinieon nach gesehen.
Da ist eine Schottkey mit Uv=0.12V bei Iv=10mA (UR=10V).
Das ist doch was

@Bernddi:
Du kannst das gerne nachmessen und dann berichten.

Zitat : Bernddi hat am 24 Okt 2004 17:51 geschrieben :

hallo perl erst denken die basis ist mit dem kolektor verbunden und im emmitterkreis liegt die last wie gross ist dann Ube im einschaltmoment ?und wie groß wird die wenn der transistor voll durchsteurt? und das tut der mit 1000% sicherheit !!! transistoren sind nun mal keine 2 dioden in einem gehäuse, und die b-e strecke ist im volldurchgesteurtem zustand mit ladungsträgern überschwemmt, daher wird auch eine geringere basisvorspannung benötigt um diesen zustand aufrechtzuerhalten (transistorn im schaltrbtrib werden mit einem mehrfachen des sonst üblichen basisstrom versorgt eben um den in die sättigung zu treiben gruß bernddi

Perl hat recht...
Transistoren haben bei geringen Strömen nahezu 0V CE Sättigungsspannung. Dazu muss aber mindestens 0,5V BE Spannung anliegen.
Es gibt zwar auch Transistoren die bereits bei 0,2V BE Spannung schon durchschalten, aber die sind extrem selten.

Wenn man B und C verbindet, dann hat man eine Diode die erst ab etwa 0,5V leitend wird.

Es gibt doch sicher auch die Möglichkeit, ein MosFET so zu beschalten, dass dieser quasi eine Diode ersetzt, oder?
Da müsste man dann einen OpAmp oder etwas änliches virschalten, welcher die Spannungen an 2 Punkten vergleicht und ggf. den MosFet aufsteuert.

Hat sich da mal jemand Gedanken darüber gemacht?

Ja, hab sowas schonmal verbaut, für ein NVRAM:
Der Trick an der Sache ist, den MOSFET falsch rum zu verwenden, also bei einem N-Kanal kommt Source an + und Drain an Minus, da in dieser Richtung sowiso eine Diode eingebaut ist, die ansonsten leitend wird.

Das ganze sieht folgendermaßen aus:
Ein TL081 (wegen den FET Eingänden die extrem hochohmig sind) wird mit dem nichtinvertierenden Eingang an Source (=Anode) und invertierenden Eingang an Drain (=Kathode) gelegt.
Ebenso wird V- des OV mit Source verbunden. V+ mit 5-25V verbinden (je nach MOSFET und vorhandener Spannung).
Ist Source positiver als Drain, geht der Ausgang des OV an + und der FET schaltet zusätzlich zur sowiso schon leitenden Diode durch. Also selbst wenn die Betriebsspannung noch nicht vorhanden ist, leitet zumindest schon die Diode im FET.

Kann man nicht auch Germanium-Dioden verwenden? Glaube mich daran zu erinnern, dass dort die Durchlasspannung höher sein soll als bei Silizium.

Wenn es aber mit FET besser geht, solltest du das machen! (Germanium-Halbleiter werden glaube ich garnicht mehr hergestellt)

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Du meintest zweifellos, daß die Durchlaßspannung bei Ge niedriger ist.
Das stimmt, aber es stimmt leider auch, daß, außer antiquarisch, kaum noch welche aufzutreiben sind.
Außerdem ist die Belastbarkeit von Ge geringer.

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Zitat : Benedikt hat am 26 Okt 2004 17:32 geschrieben :

...Das ganze sieht folgendermaßen aus: Ein TL081 (wegen den FET Eingänden die extrem hochohmig sind) wird mit dem nichtinvertierenden Eingang an Source (=Anode) und invertierenden Eingang an Drain (=Kathode) gelegt...

Könntest du da vielleich einen kleinen Schaltplan posten?
Interessant wäre auch die Aufnahme der Kennlinie, die man dann mit der einer Diode vergleich könnte!
Das könnte man dann mit einer Simulationssoftware (EWB, Multisim) versuchen zu ermitteln.

Da die Falschpolung ja wohl kein normaler Betriebszustand ist, geht es auch noch einfacher mit einer kräftigen (Schottky-)Diode quer über die Speisespannung, die normalerweise sperrt.
Freilich muß man dann den im Fehlerfall fließenden Strom begrenzen: Dafür einen Widerstand zu nehmen ist am billigsten, besser geeignet sind Kaltleiter wie Polyfusen oder Glühlampen.


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Ich hab das mal ausgerechnet:
Bei einer Spannungsquelle von 12V und einer Last von 10Ohm, würde bei in Reihe geschaltetem MosFet, wenn dieser voll durchschaltet, ca. 0.06V abfallen.
Da kann keine Diode mithalten!